[发明专利]具有T形外延硅沟道的MOSFET结构有效
| 申请号： | 201210026680.5 | 申请日： | 2012-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103094343A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 马哈维;吴伟豪;余宗兴;刘佳雯;沈泽民;后藤贤一;吴志强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 在浅沟槽隔离(STI)结构之间设置的MOSFET包括在衬底表面上方形成的并在STI结构的向内延伸的突出件上方形成的外延硅层。因此，MOSFET的栅极宽度是外延硅层的宽度并大于STI结构之间的初始衬底表面的宽度。在先前掺杂的沟道上方形成外延硅层，并且该外延硅层在沉积时是未掺杂的。可以采用热活化操作来使掺杂剂杂质进入被外延硅层占据的晶体管沟道区内，但是在外延硅层与栅极电介质相交的沟道位置处掺杂剂浓度是最小的。本发明提供一种具有T形外延硅沟道的MOSFET结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 外延 沟道 mosfet 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：晶体管区域，形成于半导体衬底上并包括硅层，所述硅层被设置于所述半导体衬底上并具有至少相对的边缘，所述相对的边缘的每一个都在相应的STI浅沟槽隔离结构的突出件上方延伸，并被所述相应的STI结构的顶面界定；以及晶体管，包括在所述硅层和所述半导体衬底中形成的源极/漏极区，以及设置在所述硅层和所述相对的边缘上方的栅极。
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