[发明专利]Mn-Co-Ni-O热敏薄膜的湿法刻蚀方法有效

专利信息
申请号: 201210026626.0 申请日: 2012-02-07
公开(公告)号: CN102592983A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 黄志明;周炜;张雷博;侯云;吴敬;褚君浩 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: H01L21/306 分类号: H01L21/306;H01L31/18
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种Mn-Co-Ni-O热敏薄膜的湿法刻蚀方法,主要包括以下步骤:第一步,使用正性光刻胶进行正胶光刻,得到所需图案,将需要的台面图形用光刻胶保护起来;第二步,使用现配的还原性刻蚀液,依据样品片厚度估计所需刻蚀的时间,对样品进行刻蚀,刻蚀完成后用丙酮和酒精清洗,用干燥氮气将样品片吹干。本发明实现了Mn-Co-Ni-O热敏材的湿法刻蚀。本发明还指出,在光刻胶的耐受范围内,适当提高温度以及加入适量的盐酸可以提高刻蚀速率。与干法刻蚀相比,大大提高了效率,热敏电阻边缘整齐,侧蚀比小,图形质量高。
搜索关键词: mn co ni 热敏 薄膜 湿法 刻蚀 方法
【主权项】:
一种Mn‑Co‑Ni‑O热敏薄膜的湿法刻蚀方法,其特征在于包括以下步骤:1)清洗:分别取在氧化铝衬底上生长的MCN样品片数片,置于盛有丙酮的玻璃培养皿中超声清洗,用镊子取出实验片,置于盛有酒精的玻璃培养皿中超声清洗,去离子水、酒精冲洗,干净的氮气将试验片吹干待用;2)甩胶光刻:在暗室中进行甩胶操作,使用正性光刻胶甩胶,预烘干,曝光,显影,得到所需保护的图形,去离子水清洗后吹干,后烘,取出备用;3)配制刻蚀液:使用碘化钾的还原性完成Mn‑Co‑Ni‑O热敏薄膜的腐蚀;使用盐酸提供酸性环境,以提高刻蚀速率,在2mol/L盐酸中加入碘化钾粉末,按照每10毫升酸溶液加5克到8.3克的比例加入碘化钾粉末,摇匀,得到淡黄色澄清刻蚀液;4)取样品,进行湿法刻蚀,根据刻蚀速率及膜厚估计刻蚀时间,用聚四氟乙烯镊子夹住样品片,将其放入刻蚀液中来回轻轻摇动,同时按下秒表计时,参考预估的刻蚀时间,待透明的氧化铝基底片肉眼可辨时,用镊子将样品片取出,用去离子水冲洗干净;5)去胶、清洗,使用超声清洗机对样片进行丙酮超声清洗、酒精超声清洗各2‑5分钟,去除光刻胶;使用去离子水将样品片冲洗干净,用干净的氮气吹干。
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