[发明专利]Mn-Co-Ni-O热敏薄膜的湿法刻蚀方法有效
申请号: | 201210026626.0 | 申请日: | 2012-02-07 |
公开(公告)号: | CN102592983A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 黄志明;周炜;张雷博;侯云;吴敬;褚君浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L31/18 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mn co ni 热敏 薄膜 湿法 刻蚀 方法 | ||
1.一种Mn-Co-Ni-O热敏薄膜的湿法刻蚀方法,其特征在于包括以下步骤:
1)清洗:分别取在氧化铝衬底上生长的MCN样品片数片,置于盛有丙酮的玻璃培养皿中超声清洗,用镊子取出实验片,置于盛有酒精的玻璃培养皿中超声清洗,去离子水、酒精冲洗,干净的氮气将试验片吹干待用;
2)甩胶光刻:在暗室中进行甩胶操作,使用正性光刻胶甩胶,预烘干,曝光,显影,得到所需保护的图形,去离子水清洗后吹干,后烘,取出备用;
3)配制刻蚀液:使用碘化钾的还原性完成Mn-Co-Ni-O热敏薄膜的腐蚀;使用盐酸提供酸性环境,以提高刻蚀速率,在2mol/L盐酸中加入碘化钾粉末,按照每10毫升酸溶液加5克到8.3克的比例加入碘化钾粉末,摇匀,得到淡黄色澄清刻蚀液;
4)取样品,进行湿法刻蚀,根据刻蚀速率及膜厚估计刻蚀时间,用聚四氟乙烯镊子夹住样品片,将其放入刻蚀液中来回轻轻摇动,同时按下秒表计时,参考预估的刻蚀时间,待透明的氧化铝基底片肉眼可辨时,用镊子将样品片取出,用去离子水冲洗干净;
5)去胶、清洗,使用超声清洗机对样片进行丙酮超声清洗、酒精超声清洗各2-5分钟,去除光刻胶;使用去离子水将样品片冲洗干净,用干净的氮气吹干。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造