[发明专利]具有超级接口的沟槽型功率晶体管组件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种具有超级接口的沟槽型功率晶体管组件的制作方法。首先，提供一具有一第一导电类型的基底。然后，于基底上形成一具有一第二导电类型的外延层。接着，于外延层中形成一穿孔，贯穿外延层。随后，于穿孔的两侧的外延层中分别形成两个具有第一导电类型的漏极掺杂区，且漏极掺杂区从外延层的上表面延伸至与基底相接触。

主权项

一种具有超级接口的沟槽型功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底，且所述基底具有一第一导电类型；于所述基底上形成一外延层，且所述外延层具有不同于所述第一导电类型的一第二导电类型；于所述外延层中形成至少一穿孔，贯穿所述外延层；于所述穿孔的两侧的所述外延层中分别形成两个漏极掺杂区，且所述漏极掺杂区从所述外延层的上表面延伸至与所述基底相接触，其中所述漏极掺杂区具有所述第一导电类型；于所述穿孔中填入一绝缘层，且所述绝缘层的上表面低于所述外延层的上表面；于所述绝缘层上的所述穿孔的各所述侧的所述外延层中分别形成一信道掺杂区，其中所述信道掺杂区具有所述第二导电类型；于所述绝缘层上的所述穿孔中形成一栅极结构；以及于各所述信道掺杂区上分别形成一源极掺杂区，且所述源极掺杂区具有所述第一导电类型。