[发明专利]具有超级接口的沟槽型功率晶体管组件及其制作方法

权利要求书

1.一种具有超级接口的沟槽型功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底，且所述基底具有一第一导电类型；

于所述基底上形成一外延层，且所述外延层具有不同于所述第一导电类型的一第二导电类型；

于所述外延层中形成至少一穿孔，贯穿所述外延层；

于所述穿孔的两侧的所述外延层中分别形成两个漏极掺杂区，且所述漏极掺杂区从所述外延层的上表面延伸至与所述基底相接触，其中所述漏极掺杂区具有所述第一导电类型；

于所述穿孔中填入一绝缘层，且所述绝缘层的上表面低于所述外延层的上表面；

于所述绝缘层上的所述穿孔的各所述侧的所述外延层中分别形成一信道掺杂区，其中所述信道掺杂区具有所述第二导电类型；

于所述绝缘层上的所述穿孔中形成一栅极结构；以及

于各所述信道掺杂区上分别形成一源极掺杂区，且所述源极掺杂区具有所述第一导电类型。

2.如权利要求1所述的具有超级接口的沟槽型功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，形成所述外延层的步骤与形成所述穿孔的步骤之间，所述制作方法还包括：

于所述外延层上依序形成一第一硬掩模层以及一第二硬掩模层；以及

图案化所述第二硬掩模层以及所述第一硬掩模层，以暴露出所述外延层。

3.如权利要求2所述的具有超级接口的沟槽型功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，形成所述外延层的步骤与形成所述第一硬掩模层的步骤之间，所述制作方法还包括：

于所述外延层上形成一衬垫层；以及

于所述外延层中形成一井区，且所述井区具有所述第二导电类型。

4.如权利要求2所述的具有超级接口的沟槽型功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，形成所述绝缘层的步骤包括：

于所述第二硬掩模层上形成一绝缘材料层，且所述绝缘材料层填满所述穿孔；

进行一研磨工艺，移除位于所述穿孔外的所述绝缘材料层与所述第二硬掩模层；以及

进行一刻蚀工艺，移除所述穿孔中的部分所述绝缘材料层，以形成所述绝缘层。

5.如权利要求1所述的具有超级接口的沟槽型功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，形成所述漏极掺杂区的步骤包括一斜角度离子注入工艺或一气相掺杂工艺。

6.如权利要求1所述的具有超级接口的沟槽型功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，于形成所述绝缘层的步骤与形成所述信道掺杂区的步骤之间，所述制作方法还包括：

于所述绝缘层上的所述穿孔的两侧壁上分别形成两层氧化层，其中邻近所述穿孔的各所述漏极掺杂区的一部分转变为各所述氧化层的一部分；以及

进行一湿式刻蚀工艺，移除所述氧化层。

7.如权利要求1所述的具有超级接口的沟槽型功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，形成所述信道掺杂区的步骤包括一斜角度离子注入工艺或一气相掺杂工艺。

8.如权利要求1所述的具有超级接口的沟槽型功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，于形成所述信道掺杂区的步骤与形成所述栅极结构的步骤之间，所述制作方法还包括移除所述第一硬掩模层以及所述衬垫层。

9.一种具有超级接口的沟槽型功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底，且所述基底具有一第一导电类型；

于所述基底上形成一第一外延层，且所述第一外延层具有不同于所述第一导电类型的一第二导电类型；

于所述第一外延层中形成至少一第一穿孔，贯穿所述第一外延层；

于所述第一穿孔的两侧的所述第一外延层中分别形成两个漏极掺杂区，且所述漏极掺杂区从所述第一外延层的上表面延伸至与所述基底相接触，其中所述漏极掺杂区具有所述第一导电类型；

于所述第一穿孔中填满一绝缘层；

于所述第一外延层与所述绝缘层上形成一第二外延层，且所述第二外延层具有所述第二导电类型；

于所述第二外延层中形成至少一第二穿孔，暴露出所述绝缘层；

于所述第二穿孔中形成一栅极结构；以及

于所述第二穿孔的两侧的所述第二外延层中分别形成两个源极掺杂区，且所述源极掺杂区具有所述第一导电类型。