[发明专利]一种形成高介电常数金属栅的方法有效
| 申请号： | 201210014806.7 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102569053A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 周军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种形成高介电常数金属栅的方法，其中，首先，在衬底上采用物理气相沉积金属层，然后，对所述金属层进行第一次的图形化铝处理；接着将完成图形化的所述铝在纯水电解液中将表面氧化成均匀致密的高介电常数氧化铝，形成栅极绝缘层，金属保留层在电解过程中被移除而同时金属栅的顶部也在电解过程中被移除一定的厚度，栅极绝缘层主要覆盖在金属栅上，并且电解液将金属层外围两侧进行电解处理；对高介电常数氧化铝进行第二次的图形化处理，最后，形成高介电常数金属栅。使用本发明一种形成高介电常数金属栅的方法，使其未采用原子层沉积法，有效地提高了生产率，同时，减少了光罩的使用，而且降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 介电常数 金属 方法 | ||
【主权项】：
一种形成高介电常数金属栅的方法，其特征在于，首先，在衬底上采用物理气相沉积金属层，然后，对所述金属层进行第一次的图形化铝处理；第一次对金属层实施刻蚀过程，金属栅上覆盖刻蚀掩膜，而金属层的未被掩膜所遮盖的部分在一定程度上被刻蚀掉；接着将完成图形化的所述铝在纯水电解液中将表面氧化成均匀致密的高介电常数氧化铝，形成栅极绝缘层，金属保留层在电解过程中被移除而同时金属栅的顶部也在电解过程中被移除一定的厚度，栅极绝缘层主要覆盖在金属栅上，并且电解液将金属层外围两侧进行电解处理；对高介电常数氧化铝进行第二次的图形化处理，最后，形成高介电常数金属栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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