[发明专利]一种形成高介电常数金属栅的方法

权利要求书

1.一种形成高介电常数金属栅的方法，其特征在于，首先，在衬底上采用物理气相沉积金属层，然后，对所述金属层进行第一次的图形化铝处理；第一次对金属层实施刻蚀过程，金属栅上覆盖刻蚀掩膜，而金属层的未被掩膜所遮盖的部分在一定程度上被刻蚀掉；接着将完成图形化的所述铝在纯水电解液中将表面氧化成均匀致密的高介电常数氧化铝，形成栅极绝缘层，金属保留层在电解过程中被移除而同时金属栅的顶部也在电解过程中被移除一定的厚度，栅极绝缘层主要覆盖在金属栅上，并且电解液将金属层外围两侧进行电解处理；对高介电常数氧化铝进行第二次的图形化处理，最后，形成高介电常数金属栅。

2.根据权利要求1所述形成高介电常数金属栅的方法，其特征在于，在衬底上采用沉积的方法沉积的所述金属层的厚度为100nm~500nm。

3.根据权利要求1所述形成高介电常数金属栅的方法，其特征在于，在纯水电解液中将完成图形化的所述金属层的表面氧化成均匀致密的氧化铝保护层。

4.根据权利要求3所述形成高介电常数金属栅的方法，其特征在于，电解过程在纯水中进行，并且以铝为阳极，以铂为阴极。

5.根据权利要求4所述形成高介电常数金属栅的方法，其特征在于，阳极反应方程式为：2Al+3H₂O→Al₂O₃+6H⁺+6e^-；阴极反应方程式为：6H⁺+6e^- →3H₂。

6.根据权利要求1所述形成高介电常数金属栅的方法，其特征在于，对高介电常数氧化铝进行第二次的图形化处理，去除高介电常数以外的氧化铝和铝。

7.根据权利要求1所述形成高介电常数金属栅的方法，其特征在于，所述金属栅顶部被电解掉的部分的厚度大致上等于所述金属保留层的厚度。

8.根据权利要求1所述形成高介电常数金属栅的方法，其特征在于，所述金属层为铝。