[发明专利]半导体结构及形成半导体结构的方法有效
| 申请号： | 201210005700.0 | 申请日： | 2012-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103050511A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 姚福伟;许竣为;游承儒;余俊磊;杨富智;熊志文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构。半导体结构包括第一III-V族化合物层。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上，并且该第二III-V族化合物层在组成上与第一III-V族化合物层不同。载流子沟道位于第一III-V族化合物层和第二III-V族化合物层之间。源极部件和漏极部件设置在第二III-V族化合物层上。栅电极设置在位于源极部件和漏极部件之间的第二III-V族化合物层的上方。载流子沟道耗尽层设置在第二III-V族化合物层上。所述载流子沟道耗尽层采用等离子体沉积并且一部分载流子沟道耗尽层位于至少一部分栅电极的下方。本发明还公开了形成半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：第一III‑V族化合物层；第二III‑V族化合物层，所述第二III‑V族化合物层设置在所述第一III‑V族化合物层上，并且在组成上与所述第一III‑V族化合物层不同，其中，载流子沟道位于所述第一III‑V族化合物层和所述第二III‑V族化合物层之间；源极部件和漏极部件，所述源极部件和所述漏极部件设置所述第二III‑V族化合物层上；栅电极，所述栅电极设置在位于所述源极部件和所述漏极部件之间的所述第二III‑V族化合物层的上方；以及载流子沟道耗尽层，所述载流子沟道耗尽层设置在所述第二III‑V族化合物层上，其中，所述载流子沟道耗尽层采用等离子体沉积并且一部分所述载流子沟道耗尽层位于至少一部分所述栅电极的下方。
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