[发明专利]覆晶式发光二极管及其制法与应用

摘要

本发明是有关于一种覆晶式发光二极管，包括：基板、半导体外延多层复合结构、第一与第二类金刚石/导电材料多层复合结构与绝缘保护层，其中，第一与第二类金刚石/导电材料多层复合结构是做为半导体外延多层复合结构的P型电极与N型电极，以缓冲热膨胀系数差异(coefficient thermal expansion mismatch)所造成的热应力。本发明亦关于上述覆晶式发光二极管的制法与应用。

主权项

一种覆晶式发光二极管，包括：一基板；一半导体外延多层复合结构，其位于该基板上方且包含一第一半导体外延层、一第二半导体外延层、以及一盲孔，其中，该第一半导体外延层与该第二半导体外延层是层迭设置，且该盲孔贯穿该第二半导体外延层；一第一类金刚石/导电材料多层复合结构，位于该半导体外延多层复合结构的该第一半导体外延层上方，并电性连接该半导体外延多层复合结构的该第一半导体外延层，以做为一第一电极，其中，该第一类金刚石/导电材料多层复合结构填充于该半导体外延多层复合结构的该盲孔中；一第二类金刚石/导电材料多层复合结构，位于该半导体外延多层复合结构的该第二半导体外延层上方，并电性连接该半导体外延多层复合结构的该第二半导体外延层，以做为一第二电极；以及一绝缘保护层，覆盖该半导体外延多层复合结构的该第一半导体外延层的侧壁以及该第二半导体外延层的侧壁，以及该盲孔的内壁表面，以隔绝该第一类金刚石/导电材料多层复合结构与该第二半导体外延层之间的接触。