[发明专利]覆晶式发光二极管及其制法与应用

权利要求书

1.一种覆晶式发光二极管，包括：

一基板；

一半导体外延多层复合结构，其位于该基板上方且包含一第一半导体外延层、一第二半导体外延层、以及一盲孔，其中，该第一半导体外延层与该第二半导体外延层是层迭设置，且该盲孔贯穿该第二半导体外延层；

一第一类金刚石/导电材料多层复合结构，位于该半导体外延多层复合结构的该第一半导体外延层上方，并电性连接该半导体外延多层复合结构的该第一半导体外延层，以做为一第一电极，其中，该第一类金刚石/导电材料多层复合结构填充于该半导体外延多层复合结构的该盲孔中；

一第二类金刚石/导电材料多层复合结构，位于该半导体外延多层复合结构的该第二半导体外延层上方，并电性连接该半导体外延多层复合结构的该第二半导体外延层，以做为一第二电极；以及

一绝缘保护层，覆盖该半导体外延多层复合结构的该第一半导体外延层的侧壁以及该第二半导体外延层的侧壁，以及该盲孔的内壁表面，以隔绝该第一类金刚石/导电材料多层复合结构与该第二半导体外延层之间的接触。

2.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管，其中，该半导体外延多层复合结构还包括一活性中间层，该活性中间层是夹置于该第一半导体外延层与该第二半导体外延层之间，且该盲孔贯穿该活性中间层。

3.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管，其中，该第一类金刚石/导电材料多层复合结构、以及该第二类金刚石/导电材料多层复合结构选自由导电材料层与导电类碳钻层叠层结构、导电材料与类金刚石混合物多层结构、以及导电材料与导电性类金刚石混合物多层结构所组群组的至少一种。

4.如权利要求3所述的覆晶式发光二极管，其中，该导电材料层或该导电材料的材质选自由铟锡氧化物、氧化铝锌、氧化锌、石墨烯、钛、铝、铬、镍、铂、钼、钨、银、铂、以及金所组群组的至少一种。

5.如权利要求3所述的覆晶式发光二极管，其中，该第一类金刚石/导电材料多层复合结构的导电材料层表面与该第二类金刚石/导电材料多层复合结构的导电材料层表面形成一共平面。

6.如权利要求3所述的覆晶式发光二极管，其中，该第一类金刚石/导电材料多层复合结构的导电类金刚石层表面与该第二类金刚石/导电材料多层复合结构的导电类金刚石层表面形成一共平面。

7.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管，其中，该第一类金刚石/导电材料多层复合结构的表面与该第二类金刚石/导电材料多层复合结构的表面形成一共平面。

8.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管，还包括：一第一金属焊接层，位于该第一类金刚石/导电材料多层复合结构上；以及一第二金属焊接层，位于该第二类金刚石/导电材料多层复合结构上，其中，该第二金属焊接层的表面与该第一金属焊接层的表面形成一共平面。

9.如权利要求8所述的覆晶式发光二极管，其中，该第一类金刚石/导电材料多层复合结构的表面、该第二类金刚石/导电材料多层复合结构的表面、该第二金属焊接层的表面、或/及第一金属焊接层的表面是高于或低于该绝缘保护层的表面或与其形成一共平面。

10.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管，还包含一反射层，夹置于该半导体外延多层复合结构与该第二类金刚石/导电材料多层复合结构之间。

11.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管，其中，该绝缘保护层的材质选自由氮化硅、二氧化硅、以及绝缘类金刚石所组群组中的至少一种。

12.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管，其中，该第一半导体外延层以及该第一类金刚石/导电材料多层复合结构是N型，该第二半导体外延层以及该第二类金刚石/导电材料多层复合结构是P型。