[发明专利]半导体结构体及其生产方法

摘要

本发明涉及一种半导体结构体及其生产方法，所述半导体结构体包括至少一个导体区域9和至少两个半导体区域(30,40)，所述半导体区域被所述至少一个导体区域部分隔开。所述至少一个导体区域包括在被各导体区域部分隔开的半导体区域之间延伸的开孔。所述半导体区域包含至少一种具有特殊HOMO能级的有机半导体材料，尤其是DPP聚合物。所述导体区域包含具有特殊功函数的导电材料，特殊能级和功函数的所述组合使得可简单制备所述导体区域。本发明进一步涉及一种提供该半导体结构体的方法。

主权项

一种半导体结构体，包括至少一个导体区域和至少两个半导体区域，所述半导体区域被所述至少一个导体区域部分隔开，其中所述至少一个导体区域包括在被各导体区域部分隔开的半导体区域之间延伸的开孔，其特征在于所述至少一个半导体区域包含二酮基吡咯并吡咯聚合物作为半导体材料，且所述半导体区域包含至少一种具有最高占据分子轨道能级EH的有机半导体材料，其中EH由5.0eV≤|EH|≤5.8eV所限定，且其中所述导体区域包含具有功函数EC的导电材料，其中EC由|EH|‑1.5eV≤|EC|≤|EH|‑0.4eV所限定。