[发明专利]半导体结构体及其生产方法

权利要求书

1.一种半导体结构体，包括至少一个导体区域和至少两个半导体区域，所述半导体区域被所述至少一个导体区域部分隔开，其中所述至少一个导体区域包括在被各导体区域部分隔开的半导体区域之间延伸的开孔，其特征在于所述至少一个半导体区域包含二酮基吡咯并吡咯聚合物作为半导体材料，且所述半导体区域包含至少一种具有最高占据分子轨道能级E_H的有机半导体材料，其中E_H由5.0eV≤|E_H|≤5.8eV所限定，且其中所述导体区域包含具有功函数E_C的导电材料，其中E_C由|E_H|-1.5eV≤|E_C|≤|E_H|-0.4eV所限定。

2.根据权利要求1的半导体结构体，其中所述有机半导体材料具有如下带正电载流子等效物本体浓度N_p：N_p≤1×10¹⁶cm^-3，N_p≤8×10¹⁵cm^-3，N_p≤6×10¹⁵cm^-3，N_p≤5×10¹⁵cm^-3，N_p≤10¹⁶cm^-3，N_p≤4×10¹⁵cm^-3，N_p≤2×10¹⁵cm^-3或N_p≤1×10¹⁵cm^-3，优选N_p≤5.5×10¹⁵cm^-3，更优选N_p≤3.9×10¹⁵cm^-3，最优选N_p≤2.3×10¹⁵cm^-3。

3.根据权利要求2的半导体结构体，其中E_H、E_C和N_p适于在所述半导体区域中产生大于100nm，优选至少125nm，更优选至少250nm的耗尽宽度l_d。

4.根据权利要求1-3中任一项的半导体结构体，其中所述至少一种有机半导体材料包括在重复单元中具有一个或多个由下式表示的DPP骨架的二酮基吡咯并吡咯(DPP)聚合物：

其中：

R¹和R²彼此相同或不同且选自氢；C₁-C₁₀₀烷基；-COOR³；被一个或多个卤原子、羟基、硝基、-CN或C₆-C₁₈芳基取代和/或被-O-、-COO-、-OCO-或-S-间隔的C₁-C₁₀₀烷基；C₇-C₁₀₀芳烷基；氨基甲酰基；可被C₁-C₈烷基和/或C₁-C₈烷氧基取代1-3次的C₅-C₁₂环烷基；可被C₁-C₈烷基、C₁-C₂₅硫代烷氧基和/或C₁-C₂₅烷氧基取代1-3次的C₆-C₂₄芳基，尤其是苯基或1-或2-萘基；或五氟苯基；

其中R³为C₁-C₅₀烷基，优选为C₄-C₂₅烷基。