[发明专利]垂直定向的半导体纳米线的光吸收和过滤特性有效

专利信息
申请号: 201180051048.X 申请日: 2011-10-21
公开(公告)号: CN103168360B 公开(公告)日: 2016-10-26
发明(设计)人: 徐官用;穆尼布·沃贝尔;保罗·斯坦武泽尔;伊森·舍恩布伦;亚平·丹;肯尼斯·B·克洛泽 申请(专利权)人: 立那工业股份有限公司;哈佛大学校长及研究员协会
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L31/0352;B82Y30/00;B82Y20/00;B82Y40/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 李春秀
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本文描述一种纳米线阵列。所述纳米线阵列包括衬底和从所述衬底基本上垂直延伸的多条纳米线;其中:所述纳米线的每一者沿着其整个长度具有均一化学性质;所述纳米线的折射率至少为所述纳米线的覆层的折射率的两倍。此纳米线阵列可用作光电检测器、亚微米彩色滤光片、静态彩色显示器或动态彩色显示器。
搜索关键词: 垂直 定向 半导体 纳米 光吸收 过滤 特性
【主权项】:
一种纳米线阵列,其包括衬底和从所述衬底垂直延伸的多条纳米线;其中所述纳米线阵列能够作为亚微米彩色滤光片操作;其中所述纳米线的每一者在所述纳米线的纵向方向上从所述纳米线的一端到所述纳米线的相对端具有均一的化学组成,其中所述纳米线阵列的反射光谱具有下沉,下沉位置随着所述纳米线的半径减小而移位到较短波长,且所述下沉位置与一纳米线沿着平行于所述衬底的方向距所述纳米线的最近相邻者的距离无关。
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