[发明专利]垂直定向的半导体纳米线的光吸收和过滤特性有效
| 申请号: | 201180051048.X | 申请日: | 2011-10-21 |
| 公开(公告)号: | CN103168360B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
| 发明(设计)人: | 徐官用;穆尼布·沃贝尔;保罗·斯坦武泽尔;伊森·舍恩布伦;亚平·丹;肯尼斯·B·克洛泽 | 申请(专利权)人: | 立那工业股份有限公司;哈佛大学校长及研究员协会 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0352;B82Y30/00;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 李春秀 |
| 地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本文描述一种纳米线阵列。所述纳米线阵列包括衬底和从所述衬底基本上垂直延伸的多条纳米线;其中:所述纳米线的每一者沿着其整个长度具有均一化学性质;所述纳米线的折射率至少为所述纳米线的覆层的折射率的两倍。此纳米线阵列可用作光电检测器、亚微米彩色滤光片、静态彩色显示器或动态彩色显示器。 | ||
| 搜索关键词: | 垂直 定向 半导体 纳米 光吸收 过滤 特性 | ||
【主权项】:
一种纳米线阵列,其包括衬底和从所述衬底垂直延伸的多条纳米线;其中所述纳米线阵列能够作为亚微米彩色滤光片操作;其中所述纳米线的每一者在所述纳米线的纵向方向上从所述纳米线的一端到所述纳米线的相对端具有均一的化学组成,其中所述纳米线阵列的反射光谱具有下沉,下沉位置随着所述纳米线的半径减小而移位到较短波长,且所述下沉位置与一纳米线沿着平行于所述衬底的方向距所述纳米线的最近相邻者的距离无关。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于立那工业股份有限公司;哈佛大学校长及研究员协会,未经立那工业股份有限公司;哈佛大学校长及研究员协会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180051048.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:太阳能电池及其制造方法
- 下一篇:单行星齿轮组的三档变速箱
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





