[发明专利]生长GaN晶体的方法和GaN晶体衬底无效
| 申请号： | 201180046545.0 | 申请日： | 2011-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103124811A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 藤原伸介;上松康二;长田英树 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供在具有从(0001)面以20°～90°角度倾斜的主表面的GaN籽晶衬底上生长具有较少堆垛层错的GaN晶体的GaN晶体生长方法，还提供具有较少堆垛层错的GaN晶体衬底。生长GaN晶体的方法包括：准备GaN籽晶衬底10的步骤，所述GaN籽晶衬底具有从(0001)面10c以20°～90°角度倾斜的主表面10m，和在所述GaN籽晶衬底10上生长GaN晶体20的步骤。所述GaN籽晶衬底10的杂质浓度与所述GaN晶体20的杂质浓度的差为3×1018cm-3以下。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 gan 晶体 方法 衬底 | ||
【主权项】：
一种生长GaN晶体的方法，包括：准备GaN籽晶衬底的步骤，所述GaN籽晶衬底具有从(0001)面以20°～90°角度倾斜的主表面；和在所述GaN籽晶衬底上生长GaN晶体的步骤；其中所述GaN籽晶衬底的杂质浓度与所述GaN晶体的杂质浓度的差为3×1018cm‑3以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180046545.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种应用于坚果破壳的装置
- 下一篇：一种经紫外线杀菌处理的菊花茶制备工艺
