[发明专利]光电子半导体芯片,制造方法和在光电子器件中的应用有效

专利信息
申请号: 201180045276.6 申请日: 2011-09-15
公开(公告)号: CN103119734A 公开(公告)日: 2013-05-22
发明(设计)人: 贝恩德·伯姆;格特鲁德·克劳特;安德烈亚斯·普洛斯尔 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张春水;田军锋
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明的一个实施形式描述一种光电子半导体芯片(1),包括:具有第一和第二主面(11,12)的有源层(10),其中所述有源层(10)包括半导体材料,并且在所述半导体芯片(1)工作时发射或接收辐射;结构化的层(20),所述结构化的层具有用于辐射的耦合输出和耦合输入的三维结构并且所述结构化的层在有源层(10)的光路(40)中设置在第一主面(11)上,其中所述结构化的层(20)包括无机-有机混合材料。
搜索关键词: 光电子 半导体 芯片 制造 方法 器件 中的 应用
【主权项】:
光电子半导体芯片(1),包括:‑具有第一主面和第二主面(11,12)的有源层(10),所述有源层包括半导体材料,所述有源层在所述半导体芯片(1)工作时发射或接收辐射;‑结构化的层(20),所述结构化的层具有用于辐射的耦合输出和耦合输入的三维结构并且在所述有源层(10)的光路(40)中设置在所述第一主面(11)上,其中所述结构化的层(20)包含无机‑有机混合材料。
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