[发明专利]具有PMOS-NMOS-PMOS-NMOS结构的4晶体管非易失性存储器单元有效
| 申请号： | 201180017010.0 | 申请日： | 2011-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102939653A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | P·珀普立文;E·胡;H·林（詹姆斯）;A·J·富兰克林 | 申请（专利权）人： | 美国国家半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种非易失性存储器（NVM）单元结构，其包括PMOS编程晶体管、NMOS控制晶体管、PMOS擦除晶体管和NMOS读晶体管，其中，PMOS编程晶体管具有源区电极、漏区电极和体区电极以及连接到数据存储节点的栅极；NMOS控制晶体管具有公共连接以接收控制电压的源区电极、漏区电极和体区电极以及连接到数据存储节点的栅极；PMOS擦除晶体管具有公共连接以接收擦除电压的源区电极、漏区电极和体区电极以及连接到数据存储节点的栅极；以及NMOS读晶体管具有源区电极、漏区电极和体区电极以及连接到数据存储节点的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 pmos nmos 结构 晶体管 非易失性存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器即NVM单元结构，其包括：PMOS编程晶体管，其具有源区电极、漏区电极和体区电极，以及连接到数据存储节点的栅极；NMOS控制晶体管，其具有公共连接以接收控制电压的源区电极、漏区电极和体区电极，以及连接到所述数据存储节点的栅极；PMOS擦除晶体管，其具有公共连接以接收擦除电压的源区电极、漏区电极和体区电极，以及连接到所述数据存储节点的栅极；以及NMOS读晶体管，其具有源区电极、漏区电极和体区电极，以及连接到所述数据存储节点的栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美国国家半导体公司，未经美国国家半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180017010.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
