[发明专利]半导体气体的制造方法有效
| 申请号： | 201180009940.1 | 申请日： | 2011-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102762525A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 高田直门;井村英明;冈本正宗 | 申请（专利权）人： | 中央硝子株式会社 |
| 主分类号： | C07C17/361 | 分类号： | C07C17/361;C07C19/08;C07C51/58;C07C53/48;C09K13/08;C11D7/30;H01L21/3065;C07B61/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单氟甲烷的制造方法，该方法至少具有：使1-甲氧基-1,1,2,2-四氟乙烷与催化剂接触进行热分解的热分解工序、以及从热分解产物中回收单氟甲烷的工序。通过该方法，可以实用且高效地制造基本上不含氟之外的卤素的单氟甲烷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 气体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种单氟甲烷的制造方法，其至少具有：使1‑甲氧基‑1,1,2,2‑四氟乙烷与催化剂接触进行热分解的热分解工序、以及从热分解产物中回收单氟甲烷的工序。
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