[发明专利]陶瓷材料、半导体制造装置用构件、溅射靶材及陶瓷材料的制造方法有效
| 申请号： | 201180004701.7 | 申请日： | 2011-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102639463A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 渡边守道;神藤明日美;胜田祐司;佐藤洋介;矶田佳范 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/581 | 分类号： | C04B35/581;C04B35/04;H01L21/3065;H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 徐申民;李晓 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的陶瓷材料，是以镁、铝、氧及氮为主成分的陶瓷材料，主相为氧化镁中固溶了氮化铝的MgO-AlN固溶体的晶相。MgO-AlN固溶体，优选使用CuKα线时的(200)面及(220)面的XRD波峰出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ＝42.9～44.8°，62.3～65.2°，更优选(111)面的XRD波峰出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ＝36.9～39°。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷材料 半导体 制造 装置 构件 溅射 方法 | ||
【主权项】：
一种陶瓷材料，是以镁、铝、氧及氮为主成分的陶瓷材料，主相为氧化镁中固溶了氮化铝的MgO‑AlN固溶体的晶相。
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