[实用新型]超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构有效
| 申请号： | 201120557599.0 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN202434527U | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 魏拯华;李永忠;潘宗铭 | 申请（专利权）人： | 台湾半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 | 代理人： | 钱凯 |
| 地址： | 中国台湾台北市信*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括：一半导体基层；数个源极半导体沟槽，分别埋设于半导体基层中，各源极半导体沟槽上端及下端分别形成一基层与沟渠，于基层的顶面形成一第一连接层及第二连接层；至少一额外掺杂层，结合于各源极半导体沟槽的周围，形成一超级接面；至少一闸极，连结于半导体基层顶端与各源极半导体沟槽的基层、第一连接层间；一汲极半导体层，结合于半导体基层底部。本实用新型使源极半导体沟槽、汲极半导体层间具有降低顺向偏压时的阻抗值与具有较高的逆向偏压值的特性，让金属氧化物半导体场效应晶体管可大幅降低顺向偏压的温升与具有逆向偏压的耐高压的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，其特征在于，包括：一半导体基层；数个源极半导体沟槽，分别埋设于该半导体基层中，各源极半导体沟槽上端及下端分别形成一基层与沟渠，于该基层的顶面并形成一第一连接层及第二连接层，该第一连接层与第二连接层顶面并连接一源极电极，该沟渠内填充以磊晶半导体材料；至少一额外掺杂层，结合于各源极半导体沟槽的周围，形成一超级接面；至少一闸极，连结于半导体基层顶端与各源极半导体沟槽的基层、第一连接层间；一汲极半导体层，结合于半导体基层底部。
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