[实用新型]用于高压集成电路的金属绝缘栅场效应管结构

摘要

一种用于高压集成电路的金属绝缘栅场效应管结构，包括：P型衬底,P型外延层，P型外延上设置有P型隔离阱区、N型隔离阱区、P型背栅区及高压N型阱区，P型背栅区内设置有N型源区，其特征在于，在P型背栅区的下方设有N型埋层，N型埋层两端分别与N型隔离阱区、高压N型阱区连接，N型源区两侧设有第一源端N型缓冲层和第二源端N型缓冲层，在P型背栅接触区和N型源区上分别连接有P型背栅极金属连线和源极金属连线。本实用新型大大的减少了传统自举二极管中普遍存在的衬底电流问题，提高了自举电容充电速度，改善了驱动电路的动态特性。

主权项

一种用于高压集成电路的金属绝缘栅场效应管结构，包括：P型衬底（1）,在P型衬底（1）的左上表面设置有P型埋层（4）和深N型阱区（3），在P型衬底（1）、深N型阱区（3）和P型埋层（4）的上表面设置有P型外延层（5），在P型埋层（4）上设有P型隔离阱区（9），在深N型阱区（3）上设有高压N型阱区（6）且高压N型阱区（6）延伸并进入P型衬底（1）的上方区域，在高压N型阱区（6）内设有漏端N型缓冲区（8），在P型隔离阱区（9）与高压N型阱区（6）之间设有N型隔离阱区（7）及P型背栅区（10），并且，N型隔离阱区（7）的一个边界与P型隔离阱区（9）相接触，P型背栅区（10）的一个边界与高压N型阱区（6）相接触，N型隔离阱区（7）的另一个边界与P型背栅区（10）的另一个边界相接触，在P型隔离阱区（9）内设置有P型隔离接触区（17），在P型背栅区（10）内设有P型背栅接触区（18）及N型源区（19），在漏端N型缓冲区（8）内设有N型漏区（20），在P型背栅区（10）与高压N型阱区（6）的公共边界上设有栅氧化层（15），在P型隔离阱区（9）、N型隔离阱区（7）、P型背栅区（10）及高压N型阱区（6）上方的P型隔离接触区（17）、P型背栅接触区（18）、N型源区（19）、栅氧化层（15）及N型漏区（20）上方以外的区域设有场氧化层（13），在栅氧化层（15）上设有多晶硅栅（16）且多晶硅栅（16）延伸至高压N型阱区（6）上方的场氧化层上方，在场氧化层（13）及多晶硅栅（16）上设有介质隔离氧化层（21），在P型隔离接触区（17）和N型漏区（20）上分别连接有P型隔离区金属连线（22）和漏极金属连线（25），其特征在于，在P型背栅区（10）的下方设有N型埋层（2），所述N型埋层（2）的两端分别向外延伸并分别与N型隔离阱区（7）、高压N型阱区（6）连接，在P型背栅接触区（18）与N型源区（19）之间设有第一源端N型缓冲层（11），在第一源端N型缓冲层（11）上方设有第一薄场氧化层（11'），在N型源区（19）与栅氧化层（15）之间设有第二源端N型缓冲层（12），在第二源端N型缓冲层（12）上方设有第二薄场氧化层（12'），在P型背栅接触区（18）和N型源区（19）上分别连接有P型背栅极金属连线（23）和源极金属连线（24）。