[实用新型]用于高压集成电路的金属绝缘栅场效应管结构

权利要求书

1.一种用于高压集成电路的金属绝缘栅场效应管结构，包括：P型衬底（1）,在P型衬底（1）的左上表面设置有P型埋层（4）和深N型阱区（3），在P型衬底（1）、深N型阱区（3）和P型埋层（4）的上表面设置有P型外延层（5），在P型埋层（4）上设有P型隔离阱区（9），在深N型阱区（3）上设有高压N型阱区（6）且高压N型阱区（6）延伸并进入P型衬底（1）的上方区域，在高压N型阱区（6）内设有漏端N型缓冲区（8），在P型隔离阱区（9）与高压N型阱区（6）之间设有N型隔离阱区（7）及P型背栅区（10），并且，N型隔离阱区（7）的一个边界与P型隔离阱区（9）相接触，P型背栅区（10）的一个边界与高压N型阱区（6）相接触，N型隔离阱区（7）的另一个边界与P型背栅区（10）的另一个边界相接触，在P型隔离阱区（9）内设置有P型隔离接触区（17），在P型背栅区（10）内设有P型背栅接触区（18）及N型源区（19），在漏端N型缓冲区（8）内设有N型漏区（20），在P型背栅区（10）与高压N型阱区（6）的公共边界上设有栅氧化层（15），在P型隔离阱区（9）、N型隔离阱区（7）、P型背栅区（10）及高压N型阱区（6）上方的P型隔离接触区（17）、P型背栅接触区（18）、N型源区（19）、栅氧化层（15）及N型漏区（20）上方以外的区域设有场氧化层（13），在栅氧化层（15）上设有多晶硅栅（16）且多晶硅栅（16）延伸至高压N型阱区（6）上方的场氧化层上方，在场氧化层（13）及多晶硅栅（16）上设有介质隔离氧化层（21），在P型隔离接触区（17）和N型漏区（20）上分别连接有P型隔离区金属连线（22）和漏极金属连线（25），其特征在于，在P型背栅区（10）的下方设有N型埋层（2），所述N型埋层（2）的两端分别向外延伸并分别与N型隔离阱区（7）、高压N型阱区（6）连接，在P型背栅接触区（18）与N型源区（19）之间设有第一源端N型缓冲层（11），在第一源端N型缓冲层（11）上方设有第一薄场氧化层（11'），在N型源区（19）与栅氧化层（15）之间设有第二源端N型缓冲层（12），在第二源端N型缓冲层（12）上方设有第二薄场氧化层（12'），在P型背栅接触区（18）和N型源区（19）上分别连接有P型背栅极金属连线（23）和源极金属连线（24）。

2.根据权利要求1所述的用于高压集成电路的金属绝缘栅场效应管结构，其特征在于，N型埋层（2）右端延伸至超过高压N型阱区（6）的左下端0.5-3μm。