[发明专利]一种加热装置、加热方法及半导体加工设备无效
申请号: | 201110448615.7 | 申请日: | 2011-12-27 |
公开(公告)号: | CN103184435A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 武晔;韦刚 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种加热装置、加热方法及半导体加工设备,所述加热装置包括感应线圈和功率源,所述感应线圈与所述功率源连接,所述感应线圈包括三个以上纵向同轴且间隔设置的子线圈,在所述感应线圈与所述功率源之间设有用于调节所述子线圈输出功率的功率调节器,以调节所述感应线圈的端部和中部的电流。该加热装置可以使感应线圈的端部和中部的磁力线均匀分布,从而使位于感应线圈端部和中部的被加工工件均匀受热,这不仅可以降低加热装置的能耗,提高其加工效率,而且可以充分利用反应腔室的空间,提高半导体加工设备的加工效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 加热 装置 方法 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】:
一种加热装置,包括感应线圈和与所述感应线圈连接的功率源,其特征在于,所述感应线圈包括三个以上纵向同轴且间隔放置的子线圈,在所述感应线圈与所述功率源之间设有用于调节所述子线圈输出功率的功率调节器,以调节所述感应线圈的端部和中部的电流。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的