[发明专利]一种加热装置、加热方法及半导体加工设备无效

专利信息
申请号: 201110448615.7 申请日: 2011-12-27
公开(公告)号: CN103184435A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 武晔;韦刚 申请(专利权)人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号: C23C16/46 分类号: C23C16/46;H01L21/67
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;张天舒
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种加热装置、加热方法及半导体加工设备,所述加热装置包括感应线圈和功率源,所述感应线圈与所述功率源连接,所述感应线圈包括三个以上纵向同轴且间隔设置的子线圈,在所述感应线圈与所述功率源之间设有用于调节所述子线圈输出功率的功率调节器,以调节所述感应线圈的端部和中部的电流。该加热装置可以使感应线圈的端部和中部的磁力线均匀分布,从而使位于感应线圈端部和中部的被加工工件均匀受热,这不仅可以降低加热装置的能耗,提高其加工效率,而且可以充分利用反应腔室的空间,提高半导体加工设备的加工效率。
搜索关键词: 一种 加热 装置 方法 半导体 加工 设备
【主权项】:
一种加热装置,包括感应线圈和与所述感应线圈连接的功率源,其特征在于,所述感应线圈包括三个以上纵向同轴且间隔放置的子线圈,在所述感应线圈与所述功率源之间设有用于调节所述子线圈输出功率的功率调节器,以调节所述感应线圈的端部和中部的电流。
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