[发明专利]一种交替生长技术制备绒面结构ZnO薄膜及其应用

摘要

一种交替生长技术制备绒面结构ZnO薄膜，以二乙基锌和水为源材料，以氢气稀释掺杂气体硼烷B2H6，采用金属有机化学气相沉积法在玻璃衬底上交替生长绒面结构ZnO-TCO薄膜，步骤如下：1）首先在玻璃衬底上生长一层未掺杂ZnO薄膜；2）然后在上述未掺杂ZnO薄膜生长B掺杂型ZnO薄膜；3)重复上述1）和2）步骤，从而获得多层交叠生长的ZnO薄膜。本发明的优点是：MOCVD技术可实现玻璃衬底上直接生长绒面结构ZnO薄膜，该制备方法工艺简单，便于大面积生产推广；通过工艺技术兼容的交替生长技术，有利于实现可见光及近红外区域光散射和后续硅基薄膜沉积；应用于薄膜太阳电池，可有效提高太阳电池的光电转换效率。

主权项

一种交替生长技术制备绒面结构ZnO薄膜，其特征在于：以纯度为99.995％的二乙基锌和水为源材料，以氢气稀释掺杂气体硼烷B2H6，采用金属有机化学气相沉积法在玻璃衬底上交替生长绒面结构ZnO‑TCO薄膜，步骤如下：1)首先在玻璃衬底上生长一层未掺杂ZnO薄膜，薄膜厚度为30‑1000nm；2)然后在上述未掺杂ZnO薄膜生长B掺杂型ZnO薄膜，薄膜厚度为30‑1000nm；3)重复上述1)和2)步骤，从而获得多层交叠生长的ZnO薄膜，薄膜厚度为1000‑2500nm。