[发明专利]一种交替生长技术制备绒面结构ZnO薄膜及其应用无效
| 申请号： | 201110443695.7 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN102433545A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 陈新亮;张晓丹;赵颖;闫聪博;魏长春;张德坤;耿新华 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/30;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 交替 生长 技术 制备 结构 zno 薄膜 及其 应用 | ||
1.一种交替生长技术制备绒面结构ZnO薄膜，其特征在于：以纯度为99.995％的二乙基锌和水为源材料，以氢气稀释掺杂气体硼烷B2H6，采用金属有机化学气相沉积法在玻璃衬底上交替生长绒面结构ZnO-TCO薄膜，步骤如下：
1)首先在玻璃衬底上生长一层未掺杂ZnO薄膜，薄膜厚度为30-1000nm；
2)然后在上述未掺杂ZnO薄膜生长B掺杂型ZnO薄膜，薄膜厚度为30-1000nm；
3)重复上述1)和2)步骤，从而获得多层交叠生长的ZnO薄膜，薄膜厚度为1000-2500nm。
2.根据权利要求1所述交替生长技术制备绒面结构ZnO薄膜，其特征在于：所述掺杂混合气中硼烷B2H6的体积百分比浓度为1.0％。
3.根据权利要求1所述交替生长技术制备绒面结构ZnO薄膜，其特征在于：所述金属有机化学气相沉积法的工艺参数：衬底温度为125-180℃，镀膜反应气体压力为50-200Pa。
4.一种如权利要求1所述交替生长技术制备绒面结构ZnO薄膜的应用，其特征在于：用于pin型“非晶硅”薄膜太阳电池或“非晶硅/微晶硅”叠层薄膜太阳电池，pin型“非晶硅”薄膜太阳电池的结构为“glass/绒面结构ZnO薄膜/pina-Si:H薄膜电池/ZnO/Al”，“非晶硅/微晶硅”叠层薄膜太阳电池的结构为“glass/绒面结构ZnO薄膜/pin a-Si:H薄膜电池/pin μc-Si:H薄膜电池/ZnO/Al”。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
