[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110405251.4 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102543902A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 胁山悟 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L23/544;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 武玉琴;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体元件；焊盘电极，其形成在所述半导体元件上；对准标记，其形成在所述半导体元件上；连接电极，其形成在所述焊盘电极上；以及底部填充树脂，其形成为覆盖所述连接电极，其中，所述对准标记的从所述半导体元件开始的高度大于所述连接电极的高度。根据本发明，即使当底部填充树脂形成为覆盖连接电极时，也能够提供能够容易辨认出对准标记并能够容易精确地对准位置的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其包括：半导体元件；焊盘电极，其形成在所述半导体元件上；对准标记，其形成在所述半导体元件上；连接电极，其形成在所述焊盘电极上；以及底部填充树脂，其形成为覆盖所述连接电极，其中，所述对准标记的从所述半导体元件开始的高度大于所述连接电极的高度。
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