[发明专利]超级接面晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 201110405157.9 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103066110A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;张家豪;陈家伟 | 申请（专利权）人： | 茂达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级接面晶体管，包括一漏极基底，具有一第一导电型；一外延层，具有一第二导电型，其中外延层设置在漏极基底上；多个栅极结构单元，嵌入于外延层的表面；多个沟渠，设置于漏极基底及多个栅极结构单元间的外延层中；一缓冲层，直接接触多个沟渠的内侧表面；多个紧邻多个沟渠外侧的第一导电型基体掺杂区，其中多个第一导电型基体掺杂区与外延层间具有至少一垂直于漏极基底表面的PN接面；及一源极掺杂区，具有第一导电型，其中源极掺杂区设置于外延层中，并紧邻各栅极结构单元。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种超级接面晶体管，其特征在于包括：一漏极基底，具有一第一导电型；一外延层，具有一第二导电型，其中所述外延层设置在所述漏极基底上；多个栅极结构单元，嵌入于所述外延层的表面；多个沟渠，设置于所述漏极基底及所述多个栅极结构单元间的所述外延层中；一缓冲层，直接接触所述多个沟渠的内侧表面；多个紧邻所述多个沟渠外侧的第一导电型基体掺杂区，其中所述多个第一导电型基体掺杂区和所述外延层间具有至少一垂直于所述漏极基底表面的PN接面；及一源极掺杂区，具有所述第一导电型，其中所述源极掺杂区设置于所述外延层中，并紧邻各所述栅极结构单元。
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