[发明专利]双垒量子阱结构半导体红外光电探测器及其制造方法

摘要

一种双垒量子阱结构半导体红外光电探测器及其制造方法，探测器包括：电源、金属接触层及核心部件，所述的核心部件包括：GaAs衬底层，在所述GaAs衬底层上通过分子束外延技术或金属有机化学气相沉积由下至上依次逐层生长的：n型掺杂的GaAs缓冲层；n型掺杂的GaAs下接触层；双垒结构的多量子阱层核心工作区：以最外一层较厚势垒，较薄的内势垒，势阱，内势垒为一周期，依次交替生长多个周期而形成的；n型掺杂的GaAs上接触层；所述的多量子阱层，每一个周期包括一个AlzGa1-zAs外势垒层，两个AlAs势垒层，和一个InxGa1-xAs1-yNy势阱层。本发明优点是：可工作于1.31μm左右的光通讯波段，并且具有很强的波长可调性以及更快的响应速度。

主权项

一种双垒量子阱结构半导体红外光电探测器，它包括：电源、金属接触层及核心部件，其特征在于：所述的核心部件包括：GaAs衬底层，在所述GaAs衬底层上通过分子束外延技术或金属有机化学气相沉积由下至上依次逐层生长的：n型掺杂的GaAs缓冲层；n型掺杂的GaAs下接触层；双垒结构的多量子阱层核心工作区：以最外一层较厚势垒，较薄的内势垒，势阱，内势垒为一周期，依次交替生长多个周期而形成的；n型掺杂的GaAs上接触层；所述的多量子阱层，每一个周期包括一个AlzGa1‑zAs外势垒层，两个AlAs势垒层，和一个InxGa1‑xAs1‑yNy势阱层，外势垒层的厚度高于内势垒层及势阱层，所述的多量子阱层的周期为10‑20个。