[发明专利]像素结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种像素结构及其制造方法。本发明的像素结构是一种混合平面内转换（IPS）技术和边缘场切换（FFS）技术而实现的像素结构。各像素结构系利用两透明导电层来形成储存电容（Cst），因此在不降低开口率的情形下可增加储存电容来降低馈通电压，避免显示画面闪烁的情形发生。

主权项

一种像素结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包含：形成一图案化第一金属层于一基板上，所述图案化第一金属层包含一共享线及一闸极；形成一图案化第一透明导电层，所述图案化第一透明导电层的一部份覆盖该共享线，以与所述共享线电性连接；形成一第一绝缘层以覆盖所述图案化第一金属层及所述图案化第一透明导电层；形成一图案化半导体层于所述闸极上方的第一绝缘层上；形成一图案化第二金属层，所述图案化第二金属层包含一源极及一汲极，其中所述源极与所述汲极分别位于所述图案化半导体层上的部份区域，所述闸极、图案化半导体层、源极及汲极构成一薄膜晶体管结构；形成一第二绝缘层；图案化第一绝缘层及所述第二绝缘层，以形成一第一接触窗及一第二接触窗；以及形成一图案化第二透明导电层，其包含一像素电极及一共享电极，其中所述像素电极透过所述第一接触窗与所述薄膜晶体管结构的汲极电性连接，所述共享电极透过所述第二接触窗与所述图案化第一透明导电层电性连接。