[发明专利]像素结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器的像素结构及其制造方法，具体而言是一种可提高面板开口率的像素结构及其制造方法。

背景技术

一般液晶显示器的像素结构中，必须配置储存电容来储存像素数据至下次更新的时间。所述储存电容通常是由两金属层夹置而形成，由于所述两金属层系不透光，因此所述储存电容的配置必须牺牲面板的开口率，使得开口率降低。

图1显示的是现有的像素结构的俯视图。图1所示的像素结构为一种平面内转换（in plane switching, IPS）架构的像素结构。所述像素结构由闸极线111及数据线151交错而形成，所述像素结构包含一薄膜晶体管结构19、一像素电极171、一共享电极181及一储存电容10。所述薄膜晶体管结构19包含一闸极113、一源极152和一汲极153。薄膜晶体管结构19的闸极113电性连接至闸极线111，源极152电性连接至数据线151。像素电极171透过一接触窗161与薄膜晶体管结构19的汲极153电性连接，共享电极181透过另一接触窗（未图示）与共享线112电性连接。像素电极171与共享电极181位在同一层，为IPS架构的电极配置，其两者间形成的电场可使液晶分子偏转。

储存电容10包含一下电极11和一上电极15，下电极11与上电极15之间设有一绝缘层（未图示），下电极11由共享线112往上下两侧延伸而形成，上电极15自汲极153延伸至下电极11上方。储存电容10的下电极11和上电极15皆为不透光的金属层，如前所述，此储存电容的配置会降低面板的开口率。

另一方面，在像素结构的设计中，必须维持一定大小的储存电容，储存电容过小会导致馈通电压（feedthrough voltage）过大，而导致画面闪烁的情形发生。而在已知的像素结构中，增加储存电容势必需要增加上电极和下电极的面积，如此会使得开口率降低，而影响面板的品位。

因此，如何开发一种像素结构，使其在维持一定大小的储存电容的情形下，能够不降低开口率，或更甚者能够提升开口率，实为目前产业界企须努力的方向。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种像素结构及其制造方法，在不降低开口率的情形下增加储存电容来降低馈通电压，避免显示画面闪烁的情形发生。

本发明的另一目的在于提供一种像素结构及其制造方法，用以开发一种混合IPS与FFS技术的像素结构。

为达前述目的，本发明提供一种像素结构的制造方法，包含：形成一图案化第一金属层于一基板上，所述图案化第一金属层包含一共享线及一闸极；形成一图案化第一透明导电层，所述图案化第一透明导电层的一部份覆盖所述共享线，以与所述共享线电性连接；形成一第一绝缘层以覆盖所述图案化第一金属层及所述图案化第一透明导电层；形成一图案化半导体层于所述闸极上方的第一绝缘层上；形成一图案化第二金属层，所述图案化第二金属层包含一源极及一汲极，其中所述源极与汲极分别位于所述图案化半导体层上的部份区域，所述闸极、图案化半导体层、源极及汲极构成一薄膜晶体管结构；形成一第二绝缘层；图案化所述第一绝缘层及所述第二绝缘层，以形成一第一接触窗及一第二接触窗；以及形成一图案化第二透明导电层，其包含一像素电极及一共享电极，其中所述像素电极透过所述第一接触窗与所述薄膜晶体管结构的汲极电性连接，所述共享电极透过所述第二接触窗与所述图案化第一透明导电层电性连接。

本发明并提供一种像素结构，其是由一闸极线及一数据线所定义，所述像素结构包含：一共享线，提供一共同电压；一图案化第一透明导电层，其与所述共享线电性连接，并具有一第一共享电极，延伸至所述像素结构的显示区；一图案化第二透明导电层，位在所述图案化第一透明导电层上方，所述图案化第二透明导电层具有一像素电极及一第二共享电极；至少一绝缘层，设置于所述图案化第一透明导电层与所述图案化第二透明导电层之间；以及一薄膜晶体管结构，与所述图案化第一透明导电层及所述图案化第二透明导电层设置在相同的基板上，所述薄膜晶体管结构包含一闸极、一源极及一汲极，所述闸极电性连接至所述闸极线，所述源极电性连接至所述数据线；其中所述像素电极电性连接至所述薄膜晶体管结构的汲极，所述第二共享电极电性连接至所述第一共享电极，所述像素电极、第一共享电极及第二共享电极形成的电场会使液晶分子发生偏转，而且所述像素电极与所述第一共享电极间形成一储存电容。