[发明专利]像素结构及其制造方法

权利要求书

1.一种像素结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包含：

形成一图案化第一金属层于一基板上，所述图案化第一金属层包含一共享线及一闸极；

形成一图案化第一透明导电层，所述图案化第一透明导电层的一部份覆盖该共享线，以与所述共享线电性连接；

形成一第一绝缘层以覆盖所述图案化第一金属层及所述图案化第一透明导电层；

形成一图案化半导体层于所述闸极上方的第一绝缘层上；

形成一图案化第二金属层，所述图案化第二金属层包含一源极及一汲极，其中所述源极与所述汲极分别位于所述图案化半导体层上的部份区域，所述闸极、图案化半导体层、源极及汲极构成一薄膜晶体管结构；

形成一第二绝缘层；

图案化第一绝缘层及所述第二绝缘层，以形成一第一接触窗及一第二接触窗；以及

形成一图案化第二透明导电层，其包含一像素电极及一共享电极，其中所述像素电极透过所述第一接触窗与所述薄膜晶体管结构的汲极电性连接，所述共享电极透过所述第二接触窗与所述图案化第一透明导电层电性连接。

2.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，形成所述图案化第一透明导电层的步骤包含：

沉积一第一透明导电层；

形成一第二图案化光阻层于所述第一透明导电层上；

进行蚀刻制程，以形成所述图案化第一透明导电层，其中所述图案化第一透明导电层的一部份与所述共享线重叠，并且所述图案化第一透明导电层自所述共享线的一部份延伸至所述像素结构的显示区；以及

移除所述第二图案化光阻层。

3.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，图案化所述第一绝缘层及所述第二绝缘层的步骤包含：

形成一第五图案化光阻层于所述第二绝缘层上；

进行蚀刻制程，去除部份所述第二绝缘层及所述第一绝缘层，以形成所述第一接触窗暴露出所述图案化第二金属层中与所述汲极电性连接的部份，并形成所述第二接触窗以暴露出部份所述图案化第一透明导电层；以及

移除所述第五图案化光阻层。

4.一种像素结构，是由一闸极线及一数据线所定义，其特征在于，所述像素结构包含：

一共享线，提供一共同电压；

一图案化第一透明导电层，与所述共享线电性连接，并具有一第一共享电极，延伸至所述像素结构的显示区；

一图案化第二透明导电层，位于所述图案化第一透明导电层上方，所述图案化第二透明导电层具有一像素电极及一第二共享电极；

至少一绝缘层，设置于所述图案化第一透明导电层与所述图案化第二透明导电层之间；以及

一薄膜晶体管结构，与所述图案化第一透明导电层及所述图案化第二透明导电层设置在相同的基板上，所述薄膜晶体管结构包含一闸极、一源极及一汲极，所述闸极电性连接至所述闸极线，所述源极电性连接至所述数据线。

5.如权利要求4项所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极电性连接至所述薄膜晶体管结构的汲极，所述第二共享电极电性连接至该第一共享电极，所述像素电极、第一共享电极及第二共享电极形成的电场会使液晶分子发生偏转，而且所述像素电极与所述第一共享电极间形成一储存电容。

6.如权利要求4项所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构更包含一金属层，自所述薄膜晶体管结构的汲极延伸至所述共享线上方的部份区域形成一上电极，其中所述共享线的部份区域形成一下电极，所述上电极及所述下电极构成另一储存电容。

7.如权利要求4项所述的像素结构，其特征在于，所述图案化第一透明导电层的一部份与所述共享线重叠。

8.如权利要求4项所述的像素结构，其特征在于，所述图案化第二透明导电层的所述像素电极是透过一第一接触窗与所述薄膜晶体管结构的所述汲极电性连接。

9.如权利要求4项所述的像素结构，其特征在于，所述图案化第二透明导电层的所述第二共同电极是透过一第二接触窗与所述图案化第一透明导电层的所述第一共同电极电性连接。

10.如权利要求4项所述的像素结构，其特征在于，所述图案化第一透明导电层的所述第一共同电极具有一镂空结构，其对应于所述图案化第二透明导电层的所述第二共享电极而设置。