[发明专利]一种在半导体表面制作欧姆接触的方法无效
| 申请号： | 201110370594.1 | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN102437038A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 邱明波;宋佳杰;刘志东;沈理达;田宗军 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种在半导体表面制作欧姆接触的方法，适用于电火花加工，可以大大改善半导体的电火花加工性能，提高进电端的导电性，减小放电电压，并且使放电过程更加稳定。该方法简单快捷，成本低廉，效果显著。包括表面平整加工、脱脂除油、电镀导电薄膜和薄膜表面放电等步骤，可以在导电膜与半导体之间形成欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 表面 制作 欧姆 接触 方法 | ||
【主权项】：
一种在高阻半导体基体上制作欧姆接触的方法，其特征是先在半导体表面制备一层导电薄膜，并利用表面放电所形成的局部瞬时高温使薄膜底层的部分材料在半导体表面融化扩散形成重掺杂层，从而在进电时形成欧姆接触，消除进电端的肖特基势垒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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