[发明专利]在蓝宝石图形衬底上外延生长氮化物外延膜的方法有效
| 申请号： | 201110365010.1 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102394261A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 李鸿渐;李盼盼;李志聪;李璟;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种在蓝宝石图形衬底上外延生长高质量氮化物外延膜的方法，利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法，采用两步生长工艺，通过优化生长条件，首先控制GaN在蓝宝石图形衬底上进行合适三维生长，然后转换为二维生长，以获取高质量的氮化物外延膜。此方法充分利用蓝宝石图形衬底的特点，获得的氮化物外延膜具有位错密度低，表面为镜面，XRD半宽低等特点。而且采用这种方法进行氮化物外延，生长窗口宽，适用于高质量氮化物外延膜商业化生长。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 图形 衬底 外延 生长 氮化物 方法 | ||
【主权项】：
在蓝宝石图形衬底上外延生长氮化物外延膜的方法，其特征在于包括以下步骤：1）在蓝宝石图形衬底上，采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法生长一低温缓冲层，所述生长温度为400℃～600℃，厚度为5nm～100nm；2）升温到950℃～1100℃条件下再结晶，在蓝宝石衬底上形成籽晶；3）在Ga和N的摩尔比为500～1200︰1、生长温度为900℃～1020℃、压力为300～600mbar的条件下，生长500s～2000s；4）在Ga和N的摩尔比为1000～2000︰1、生长温度为1020℃～1070℃、压力为100～500mbar的条件下，生长100s～4000s。
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