[发明专利]一种半导体双层保护层的制作工艺方法

摘要

本发明公开了一种半导体保护层的制作工艺方法，包括步骤如下：1)提供一已制作好顶层金属连线的硅片；2)在硅片上生长介质保护层；3)非感光性聚酰亚胺的旋涂、烘烤；4)光刻胶的旋涂、烘烤；5)使用具有介质保护层开口图形的掩膜版进行曝光；6)显影去除曝光区域的光刻胶和非感光性聚酰亚胺，形成非感光性聚酰亚胺开口；7)刻蚀去除曝光区域的介质保护层，形成介质保护层开口，使顶层金属连线露出；8)进一步显影，使非感光性聚酰亚胺开口尺寸变大，大于介质保护层开口的尺寸；9)用光刻胶剥离液去除光刻胶；10)非感光性聚酰亚胺的固化。本发明能简化传统的使用两次光刻方法制作双层保护层的工艺流程，降低成本。

主权项

一种半导体双层保护层的制作工艺方法，其特征在于，包括步骤如下：(1)提供一已制作好顶层金属连线的硅片；(2)在所述硅片上生长介质保护层；(3)在所述介质保护层上进行非感光性聚酰亚胺的旋涂、烘烤；(4)在所述非感光性聚酰亚胺上进行光刻胶的旋涂、烘烤；(5)使用具有介质保护层开口图形的掩膜版进行曝光；(6)显影去除曝光区域的光刻胶和非感光性聚酰亚胺，形成非感光性聚酰亚胺开口；(7)刻蚀去除曝光区域的介质保护层，形成介质保护层开口，使得顶层金属连线露出；(8)进一步显影，使非感光性聚酰亚胺开口尺寸变大，大于介质保护层开口的尺寸；(9)用光刻胶剥离液剥离去除光刻胶；(10)非感光性聚酰亚胺的固化。