[发明专利]一种半导体晶圆制造中污染控制方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体晶圆制造中污染控制方法。本发明一种半导体晶圆制造中污染控制方法，通过在硅片批上设置污染标志，在机台上设定允许通过的污染标志，利用判定硅片批所带的污染标志是否是机台所允许经过污染标志的方式来进行管控，不仅不需要给污染标志排定等级，还不会因为污染等级的增加而不断地加重维护的力量，从而实现轻松控制生产线的交叉污染，同时还能有效的预防低污染等级的硅片批由于进入高污染等级的机台后而使其本身出现的污染。

主权项

一种半导体晶圆制造中污染控制方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：根据管控需要设置至少一项污染标志，并对应每个工艺站点及其特性将该污染标志预设于该工艺站点上；根据机台能力，于每个机台上设定允许进入的至少一项污染标志；步骤S2：硅片批经过有工艺过程的工艺站点时，该工艺站点均将其上预设的污染标志设置于硅片批的流程卡上；经过非工艺过程工艺站点时，该硅片批保留进入机台作业前的污染标志；步骤S3：在进入下一工艺站点的机台前，将流程卡上的污染标志与该机台允许进入的污染标志进行对比，若流程卡上的污染标志全部在该机台允许进入的污染标志之中，则允许进入该机台；否则，不允许进入该机台。