[发明专利]一种半导体晶圆制造中污染控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路及其制造领域，尤其涉及一种半导体晶圆制造中污染控制方法。

背景技术

在集成电路生产制造过程中，一旦有带污染指数的硅片进入关键工艺设备后，将会严重影响此关键工艺的设备氛围，尤其是在不停顿的后续作业中，此氛围将严重影响后续大批量的硅片，即在具体制造工艺中，器件中引入的一些有害元素，会直接导致该器件可靠性变差，甚至造成不能工作，更有甚者，关键工艺的设备受此污染后，直接会导致设备不可再利用，从而对工厂的运作产生致命性的影响；所以如何预防上述交叉污染，以避免其在集成电路生产制造过程中造成损害是当前一个非常重要的课题。

在制程能力不断往前发展的过程，铜制程由于其低阻、高抗电迁移等各种优越性而广泛应用于0.13nm及其以下的半导体制造工艺中，但基于生产线的产能以及成本的考量，需要铜制程与铝制程共用生产线，此时污染控制变得更为重要。

图1是本发明背景技术中采用常规污染等级方式进行污染控制的流程示意图。由于铜的污染对于器件性能的影响更严重，如短沟道效应增强等，而常规的污染控制通常是通过定义污染等级，使低污染等级的硅片批（Lot）可以进入高污染等级的机台内，但高污染等级的Lot禁止进入低污染等级的机台内来进行污染控制，如图1所示，只有Lot的污染等级a小于机台上根据机台能力设定的污染等级b才能允许该Lot进入机台进行工艺生产。但随着生产器件对污染控制的要求越来越高，对污染等级的划分越来越细，尤其是在铜制程和铝制程共用生产线模式中，划分的污染等级越来越多，而污染等级的增多将使得污染控制越来越复杂，同时可能存在某些污染标志间虽然互斥，但没有严格的等级差别的。

发明内容

本发明公开了一种半导体晶圆制造中污染控制方法，其中，包括以下步骤：

步骤S1：根据管控需要设置至少一项污染标志，并对应每个工艺站点及其特性将该污染标志预设于该工艺站点上；根据机台能力，于每个机台上设定允许进入的至少一项污染标志；

步骤S2：硅片批经过有工艺过程的工艺站点时，该工艺站点均将其上预设的污染标志设置于硅片批的流程卡上；经过非工艺过程工艺站点时，该硅片批保留进入机台作业前的污染标志。

步骤S3：在进入下一工艺站点的机台前，将流程卡上的污染标志与该机台允许进入的污染标志进行对比，若流程卡上的污染标志全部在该机台允许进入的污染标志之中，则允许进入该机台；否则，不允许进入该机台。

上述的半导体晶圆制造中污染控制方法，其中，步骤S1中每个工艺过程工艺站点设置一项污染标志。

上述的半导体晶圆制造中污染控制方法，其中，根据其所使用的机台的性质决定所经过的工艺站点为有工艺过程的工艺站点或非工艺过程的工艺站点。

上述的半导体晶圆制造中污染控制方法，其中，步骤S3中，采用生产制造执行系统将流程卡上的污染标志与该机台允许进入的污染标志进行对比。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明提出一种半导体晶圆制造中污染控制方法，通过在硅片批（Lot）上设置污染标志，在机台上设定允许通过的污染标志，利用判定硅片批所带的污染标志是否是机台所允许经过污染标志的方式来进行管控，不仅不需要给污染标志排定等级，还不会因为污染等级的增加而不断地加重维护的力量，从而实现轻松控制生产线的交叉污染，同时还能有效的预防低污染等级的硅片批由于进入高污染等级的机台后而使其本身出现的污染。

附图说明

图1是本发明背景技术中采用常规污染等级方式进行污染控制的流程示意图；

图2是本发明半导体晶圆制造中污染控制方法的流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明：

图2是本发明半导体晶圆制造中污染控制方法的流程示意图。如图2所示，本发明一种半导体晶圆制造中污染控制方法：

首先，根据实际生产线上的污染管控需求，对污染标志进行分类设置；设置F0表示标准前端、PR表示前段带胶、BE表示AL制程后段、BEPR表示AL制程后段带胶、CU表示铜制程、CUPR表示铜制程带胶、NI表示NI制程、NIPR表示NI制程带胶等。

其次，根据每个机台及其能力，于该机台上设定至少一项允许进入的污染标志；设定机台1/能力1允许进入的污染标志为F0，机台1/能力2允许进入的污染标志为BE、BEPR，机台2/能力1允许进入的污染标志为F0、PR、BE、BEPR，机台2/能力2允许进入的污染标志为CU、CUPR。