[发明专利]具有电阻可变元件的非易失性存储器件、相关系统及方法

摘要

本发明提供一种具有电阻可变元件的非易失性存储器件、相关系统及方法。一种非易失性存储器件可以包括在基板上的第一字线、在第一字线上的绝缘层和在绝缘层上的第二字线，使得绝缘层在第一字线与第二字线之间。位柱可以在关于基板的表面垂直的方向上与第一字线、绝缘层和第二字线相邻地延伸，位柱可以是导电的。此外，第一存储单元可以包括电耦接在第一字线与位柱之间的第一电阻可变元件，第二存储单元可以包括电耦接在第二字线与位柱之间的第二电阻可变元件。还讨论了相关的方法和系统。

主权项

一种非易失性存储器件，包括：基板；在所述基板上的第一字线；在所述第一字线上的绝缘层；在所述绝缘层上的第二字线，其中所述绝缘层位于所述第一字线与所述第二字线之间，且其中所述第一字线位于所述第二字线与所述基板之间；位柱，在关于所述基板的表面垂直的方向上与所述第一字线、所述绝缘层和所述第二字线相邻地延伸，其中所述位柱是导电的；第一存储单元，包括电耦接在所述第一字线与所述位柱之间的第一电阻可变元件，其中所述第一存储单元还包括在所述第一字线与所述位柱之间与所述第一电阻可变元件串联电耦接的第一二极管元件，且其中所述第一二极管元件包括第一金属硅化物层和第一半导体层；和第二存储单元，包括电耦接在所述第二字线与所述位柱之间的第二电阻可变元件，其中所述第二存储单元还包括在所述第二字线与所述位柱之间与所述第二电阻可变元件串联电耦接的第二二极管元件，且其中所述第二二极管元件包括第二金属硅化物层和第二半导体层；其中所述位柱包括与所述第一和第二存储单元相邻并具有第一掺杂剂浓度的半导体材料，其中所述第一半导体层电耦接在所述第一金属硅化物层与所述位柱的所述半导体材料之间，其中所述第二半导体层电耦接在所述第二金属硅化物层与所述位柱的所述半导体材料之间，且其中所述第一半导体层和第二半导体层具有小于所述第一掺杂剂浓度的第二掺杂剂浓度。