[发明专利]一种T型栅HEMT器件及其制作方法

摘要

本发明公开一种T型栅HEMT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括：本体层、外延层、源极、漏极和钝化层；在所述钝化层表面内形成细栅图形；在具有细栅图形的钝化层表面上形成双层光刻胶层，在所述双层光刻胶层表面内形成T型栅图形；在所述钝化层表面内和外延层表面内形成T型栅图形的栅脚图形；形成T型栅，所述T型栅的栅脚部分穿过所述钝化层深入到所述外延层表面内，且所述栅脚底部被分为呈阶梯状排列的两部分，靠近源极的部分比靠近漏极的部分长。T型栅产生的电场更加均匀，在实际应用的时候可以降低栅脚靠近漏极一侧的边缘电场，进而降低漏压，使得器件的击穿电压升高。

主权项

一种T型栅HEMT器件的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括：本体层，设置在所述本体层表面上的缓冲层，设置在缓冲层表面上的外延层，设置在所述外延层表面上的源极、漏极以及源极与漏极之间的钝化层；在所述钝化层表面内形成细栅图形；在具有细栅图形的钝化层表面上形成双层光刻胶层，所述不同层面上的光刻胶适用于不同的显影液，同一种显影液只能对一层光刻胶层进行显影，在所述双层光刻胶层表面内形成T型栅图形，所述T型栅图形靠近源极的一侧与所述钝化层表面上的交线和所述细栅图形靠近源极一侧与所述钝化层表面上的交线为同一条直线；以具有T型栅图形的双层光刻胶层为掩膜，在所述钝化层表面内和外延层表面内形成T型栅图形的栅脚图形；以具有T型栅图形的双层光刻胶层为掩膜，形成T型栅，所述T型栅的栅脚部分穿过所述钝化层深入到所述外延层表面内，且所述栅脚底部被分为呈阶梯状排列的两部分，其中，靠近源极的部分比靠近漏极的部分长。