[发明专利]一种T型栅HEMT器件及其制作方法

权利要求书

1.一种T型栅HEMT器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括：本体层，设置在所述本体层表面上的缓冲层， 设置在缓冲层表面上的外延层，设置在所述外延层表面上的源极、漏极以及 源极与漏极之间的钝化层；

在所述钝化层表面内形成细栅图形；

在具有细栅图形的钝化层表面上形成双层光刻胶层，所述不同层面上的 光刻胶适用于不同的显影液，同一种显影液只能对一层光刻胶层进行显影， 在所述双层光刻胶层表面内形成T型栅图形，所述T型栅图形靠近源极的一 侧与所述钝化层表面上的交线和所述细栅图形靠近源极一侧与所述钝化层表 面上的交线为同一条直线；

以具有T型栅图形的双层光刻胶层为掩膜，在所述钝化层表面内和外延 层表面内形成T型栅图形的栅脚图形；

以具有T型栅图形的双层光刻胶层为掩膜，形成T型栅，所述T型栅的 栅脚部分穿过所述钝化层深入到所述外延层表面内，且所述栅脚底部被分为 呈阶梯状排列的两部分，其中，靠近源极的部分比靠近漏极的部分长。

2.根据权利要求1所述T型栅HEMT器件的制作方法，其特征在于， 所述在所述钝化层表面内形成细栅图形的过程具体包括：

在所述钝化层表面上形成电子束胶层，采用电子束直写工艺，在所述电 子束胶层表面内形成第一细栅图形；

以具有所述第一细栅图形的电子束胶层为掩膜，去除所述第一细栅图形 下方的的钝化层材料，以在所述钝化层表面内形成细栅图形。

3.根据权利要求2所述T型栅HEMT器件的制作方法，其特征在于， 所述细栅图形的宽度为50nm～100nm。

4.根据权利要求3所述T型栅HEMT器件的制作方法，其特征在于， 所述细栅图形的深度为70nm～90nm。

5.根据权利要求1所述T型栅HEMT器件的制作方法，其特征在于， 所述在所述双层光刻胶层表面内形成T型栅图形的过程，具体包括：

采用光学光刻工艺或电子束曝光工艺在表层的光刻胶层表面内形成T型 栅图形的栅帽图形；

采用电子束直写工艺在所述T型栅图形的栅帽图形下方的光刻胶层表面 内形成T型栅图形的栅脚图形。

6.根据权利要求5所述T型栅HEMT器件的制作方法，其特征在于， 所述T型栅的栅帽宽度为300nm～500nm。

7.根据权利要求5所述T型栅HEMT器件的制作方法，其特征在于， 所述T型栅的栅脚宽度为150nm～200nm。

8.根据权利要求1所述T型栅HEMT器件的制作方法，其特征在于， 所述双层光刻胶层表层的光刻胶为UVIII胶。

9.根据权利要求8所述T型栅HEMT器件的制作方法，其特征在于， 所述双层光刻胶层表层下方的光刻胶为PMMA胶。

10.一种T型栅HEMT器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括：本体层，设置在所述本体层表面上的缓冲层，设 置在缓冲层表面上的外延层，设置在所述外延层表面上的源极和漏极以及源 极与漏极之间的钝化层；

T型栅，所述T型栅的栅脚部分穿过所述钝化层深入到所述外延层表面 内，且所述栅脚底部被分为呈阶梯状排列的两部分，其中，靠近源极的部分 比靠近漏极的部分长。