[发明专利]集成电路装置及于该集成电路装置建立电导体的方法有效
| 申请号： | 201110339363.4 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103094245A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 陈士弘;陈彦儒;林烙跃 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路装置及于该集成电路装置建立电导体的方法。该集成电路装置包括：由多个接点层所构成的一叠层，且每一接点层均包括一导电层及一绝缘层；环绕一电导体的一介电质衬，位于该叠层的通过部分该叠层的一开口中，且该电导体透过该介电质衬与各接点层的导电层电性绝缘；以及位于该开口处的导电层凹陷部，是该导电层相对于其相邻的绝缘层显得凹陷的部分。该介电质衬可具有部分延伸进入相邻绝缘层间的外延部。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 建立 导体 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路装置，包括：一叠层，是由多个接点层所构成，其中每一接点层均包括一导电层及一绝缘层；一介电质衬，位于该叠层的一开口中且环绕一电导体，该开口通过部分的该叠层，该电导体是通过该介电质衬与各接点层的导电层电性绝缘；以及一导电层凹陷部，邻接于该开口处，为该导电层相对于其相邻的绝缘层显得凹陷的部分。
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