[发明专利]集成电路装置及于该集成电路装置建立电导体的方法

权利要求书

1.一种集成电路装置，包括：

一叠层，是由多个接点层所构成，其中每一接点层均包括一导电层及一绝缘层；

一介电质衬，位于该叠层的一开口中且环绕一电导体，该开口通过部分的该叠层，该电导体是通过该介电质衬与各接点层的导电层电性绝缘；以及

一导电层凹陷部，邻接于该开口处，为该导电层相对于其相邻的绝缘层显得凹陷的部分。

2.根据权利要求1所述的集成电路装置更包括：

一电性绝缘层，位于该叠层之上；以及

一电导体外延部，是通过该电性绝缘层并与该电导体电性接触。

3.根据权利要求2所述的集成电路装置，其中：

该介电质衬包括一外延部，该介电质衬的该外延部位于相邻的绝缘层间并环绕该电导体；

该电导体外延部在与该电导体接触的部分具有一第一横向尺寸；且

该介电质衬的该外延部具有一第二横向尺寸，该第二横向尺寸大于该第一横向尺寸。

4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中该介电质衬包括一外延部，该介电质衬的该外延部位于相邻的绝缘层间。

5.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中该介电质衬的该外延部为环形。

6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中该导电层凹陷部其相对于与其相邻的绝缘层的凹陷为至少10纳米。

7.一种三维叠层式集成电路装置，包括：

一叠层，至少由一第一接点层、一第二接点层、一第三接点层及一第四接点层四层接点层所构成，其中每一接点层均包括一导电层及一绝缘层；

一第一电导体、一第二电导体、一第三电导体及一第四电导体，均位于一接触开口中，该多个接触开口通过部分的该叠层，该第一电导体、该第二电导体、该第三电导体及该第四电导体分别延伸并电性接触至该第一接点层、该第二接点层、该第三接点层及该第四接点层；

一介电质衬，环绕该第二电导体、该第三电导体及该第四电导体，以使该第二电导体与该第一接点层电性绝缘，使该第三电导体与该第一接点层及该第二接点层电性绝缘，使该第四电导体与该第一接点层、该第二接点层及该第三接点层电性绝缘；以及

多个导电层凹陷部，邻接于该多个接触开口处的该多个导电层相对于其相邻绝缘层显得凹陷的部分，且部分该介电质衬延伸至前述的相邻绝缘层间，以建立电性绝缘的介电质衬外延部，并提供加强对置的导电层及电导体间的电性绝缘。

8.根据权利要求7所述的三维叠层式集成电路装置，更包括：

一电性绝缘层，位于该叠层之上；以及

一第一电导体外延部、一第二电导体外延部、一第三电导体外延部及一第四电导体外延部，是通过该电性绝缘层并与该第一电导体、该第二电导体、该第三电导体及该第四电导体电性接触。

9.根据权利要求8所述的三维叠层式集成电路装置，其中：

该多个电导体外延部在与该多个电导体接触的部分具有第一横向尺寸；且

该介电质衬包括外延部，该介电质衬的该多个外延部环绕该多个电导体，该介电质衬的该多个外延部具有第二横向尺寸，该多个第二横向尺寸至少大于某些电导体外延部的该第一横向尺寸。

10.根据权利要求7所述的三维叠层式集成电路装置，其中该第一电导体、该第二电导体、该第三电导体及该第四电导体分别直接与包含于该第一接点层、该第二接点层、该第三接点层及该第四接点层的该多个导电层相接触。

11.根据权利要求7所述的三维叠层式集成电路装置，其中该介电质衬的该多个外延部为环形。

12.根据权利要求7所述的三维叠层式集成电路装置，其中至少某些导电层凹陷部其相对于与其相邻的绝缘层的凹陷为至少10纳米。