[发明专利]萧特基二极管及半导体装置无效
| 申请号： | 201110336833.1 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102856394A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 杨明宗;李东兴 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 于淼;张一军 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种萧特基二极管和半导体装置。萧特基二极管包括：具有阳极区及阴极区的半导体基底；轻掺杂区，具有预定的导电型，且位于半导体基底内；金属接触窗，位于轻掺杂区上方，且对应于阴极区以作为阴极；第一金属硅化物层，位于金属接触窗下方且与其电性连接，其中位于金属接触窗正下方的第一金属硅化物层与轻掺杂区直接接触；以及重掺杂区，具有预定的导电型，位于轻掺杂区内，且对应于阳极区以作为阳极。本发明所公开的萧特基二极管及半导体装置，通过第一金属硅化物层与轻掺杂区/井区直接接触，能够实现有效的减轻制作接触窗期间因过蚀刻而造成金属/半导体界面的损害的目的，增大萧特基二极管和半导体装置的可靠度及稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 萧特基 二极管 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种萧特基二极管，其特征在于，包括：半导体基底，具有阳极区及阴极区；轻掺杂区，具有预定的导电型，且位于所述半导体基底内；金属接触窗，位于所述轻掺杂区上方，且对应于所述阴极区以作为阴极；第一金属硅化物层，位于所述金属接触窗下方且与其电性连接，其中位于所述金属接触窗正下方的所述第一金属硅化物层与所述轻掺杂区直接接触；以及重掺杂区，具有所述预定的导电型，位于所述轻掺杂区内，且对应于所述阳极区以作为阳极。
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