[发明专利]萧特基二极管及半导体装置

说明书

技术领域

本发明有关于一种半导体二极管，特别是有关于一种具有硅化物的萧特基(Schottky)二极管。

背景技术

萧特基二极管(或萧特基势垒(barrier)二极管)为一种熟习的半导体装置，且通常使用于电子应用中，例如电源电路或电压转换器。上述萧特基二极管通常是由金属-半导体接面所构成。举例来说，将势垒金属(例如，铝)沉积于轻掺杂(lightly doped)的n型或p型半导体的表面上，以形成萧特基二极管。与半导体接触的势垒金属构成萧特基二极管的阳极。再者，与轻掺杂的n型或p型半导体电性接触的重掺杂(heavily doped)的n型或p型半导体构成萧特基二极管的阴极。

相较于传统p-n接面二极管，萧特基二极管的特征在于具有低顺向电压(即，导通电压)。然而，在传统的萧特基二极管制造中，制作接触窗(contact)期间所进行的过蚀刻(overetching)会损害金属/半导体界面(interface)，因而改变其物理性和/或电性特征。如此一来，典型工序的变异性(variability)会限制萧特基二极管的可靠度及稳定性。再者，由于制作防护环会增加制造成本及装置的尺寸，因而不符合现行或未来电子应用的需求。

因此，有必要寻求一种新的萧特基二极管结构设计，其能够改善上述的问题。

发明内容

由此，本发明的目的为提供改良式的萧特基二极管及半导体装置，以解决制作接触窗期间所进行的过蚀刻损害金属/半导体界面的问题。

一种萧特基二极管的范例实施方式，包括：半导体基底，具有阳极区及阴极区；轻掺杂区，具有预定的导电型，且位于半导体基底内；金属接触窗，位于轻掺杂区上方，且对应于阴极区以作为阴极；第一金属硅化物层，位于金属接触窗下方且与其电性连接，其中位于金属接触窗正下方的第一金属硅化物层与轻掺杂区直接接触；以及重掺杂区，具有预定的导电型，位于轻掺杂区内，且对应于阳极区以作为阳极。

一种半导体装置的范例实施方式，包括：半导体基底，其内具有井区，且井区具有预定的导电型；隔离结构，位于井区内，以在井区内限定出被隔离结构隔开彼此的第一主动区及第二主动区；金属接触窗，位于第一主动区的上方；第一金属硅化物层，位于金属接触窗下方且与其电性连接，其中位于金属接触窗正下方的第一金属硅化物层与井区直接接触；以及重掺杂区，具有预定的导电型，且位于第二主动区的井区内。

本发明所公开的萧特基二极管及半导体装置，通过第一金属硅化物层与轻掺杂区/井区直接接触，能够实现有效的减轻制作接触窗期间因过蚀刻而造成金属/半导体界面的损害的目的，增大萧特基二极管和半导体装置的可靠度及稳定性；另外无需再制造防护环，萧特基二极管及半导体装置的尺寸及其制造成本皆可降低。

对于已经阅读后续由各附图及内容所显示的较佳实施方式的本领域的技术人员来说，本发明的各目的是明显的。

附图说明

图1A为根据本发明一实施例的半导体装置的平面示意图；

图1B为沿图1A中1B-1B’线的剖面示意图；

图2A为根据本发明另一实施例的半导体装置的平面示意图；

图2B为沿图2A中2B-2B’线的剖面示意图。

具体实施方式

以下说明包含了本发明实施例的制作与目的。然而，可轻易了解以下说明在于阐明本发明实施例的制做与使用，并非用于限定本发明的范围。在附图及内文中，相同或相似的部件使用相同或相似的标号。再者，为了附图的简化与便利性，附图中部件的外形及厚度得以放大。另外，在附图中未示出的部件为本领域中惯用的部件。