[发明专利]萧特基二极管及半导体装置无效
| 申请号： | 201110336833.1 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102856394A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 杨明宗;李东兴 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 于淼;张一军 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 萧特基 二极管 半导体 装置 | ||
1.一种萧特基二极管，其特征在于，包括：
半导体基底，具有阳极区及阴极区；
轻掺杂区，具有预定的导电型，且位于所述半导体基底内；
金属接触窗，位于所述轻掺杂区上方，且对应于所述阴极区以作为阴极；
第一金属硅化物层，位于所述金属接触窗下方且与其电性连接，其中位于所述金属接触窗正下方的所述第一金属硅化物层与所述轻掺杂区直接接触；以及
重掺杂区，具有所述预定的导电型，位于所述轻掺杂区内，且对应于所述阳极区以作为阳极。
2.如权利要求1所述的萧特基二极管，其特征在于，还包括隔离结构，位于所述半导体基底内，且位于所述阳极区与所述阴极区之间。
3.如权利要求2所述的萧特基二极管，其特征在于，所述隔离结构为浅沟槽隔离结构。
4.如权利要求2所述的萧特基二极管，其特征在于，所述第一金属硅化物层与所述隔离结构隔开，以露出一部分的所述轻掺杂区。
5.如权利要求1所述的萧特基二极管，其特征在于，还包括第二金属硅化物层，与所述重掺杂区直接接触。
6.如权利要求5所述的萧特基二极管，其特征在于，所述第一金属硅化物层与所述第二金属硅化物层包括镍硅化物。
7.如权利要求1所述的萧特基二极管，其特征在于，所述预定的导电型为n型。
8.如权利要求1所述的萧特基二极管，其特征在于，所述预定的导电型为p型。
9.如权利要求1所述的萧特基二极管，其特征在于，所述金属接触窗包括金属钨。
10.一种半导体装置，其特征在于，包括：
半导体基底，其内具有井区，且所述井区具有预定的导电型；
隔离结构，位于所述井区内，以在所述井区内限定出被所述隔离结构隔开彼此的第一主动区及第二主动区；
金属接触窗，位于所述第一主动区的所述井区上方；
第一金属硅化物层，位于所述金属接触窗下方且与其电性连接，其中位于所述金属接触窗正下方的所述第一金属硅化物层与所述井区直接接触；以及
重掺杂区，具有所述预定的导电型，且位于所述第二主动区的所述井区内。
11.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属硅化物层与所述隔离结构隔开，以露出一部分的所述井区。
12.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，还包括第二金属硅化物层，其与所述重掺杂区直接接触。
13.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属硅化物层与所述第二金属硅化物层包括镍硅化物。
14.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述预定的导电型为n型。
15.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述预定的导电型为p型。
16.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述金属接触窗包括金属钨。
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