[发明专利]半导体存储器器件和半导体存储器系统无效
| 申请号： | 201110331981.4 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102456390A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 金秀娥;朴哲佑;黄泓善;柳鹤洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/18 | 分类号： | G11C7/18;G11C7/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 刘虹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储器器件，包括：至少一个存储单元块以及至少一个连接单元。所述至少一个存储单元块具有包含与第一位线连接的至少一个第一存储单元的第一区域、以及包含与第二位线连接的至少一个第二存储单元的第二区域。所述至少一个连接单元被配置为基于第一控制信号将第一位线与对应的位线读出放大器选择性地连接，以及被配置为基于第二控制信号将第二位线与对应的位线读出放大器经由对应的全局位线选择性地连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 器件 系统 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器器件，包括：多个存储单元块，所述多个存储单元块中的每个存储单元块具有包含与第一位线连接的第一存储单元的第一区域以及包含与第二位线连接的第二存储单元的第二区域；多个位线读出放大器，所述多个位线读出放大器中的每个多个位线读出放大器与所述多个存储单元块中对应的存储单元块的第一存储单元或第二存储单元连接；以及多个连接单元，所述多个连接单元中的每个连接单元被配置为基于第一控制信号将第一位线与对应的位线读出放大器选择性地连接，并且基于第二控制信号将第二位线与对应的位线读出放大器经由对应的全局位线选择性地连接，其中所述多个存储单元块中的每个存储单元块的第一区域和第二区域在第一方向上彼此交叠，以及所述多个存储单元块中的每个存储单元块的第一区域和第二区域在第二方向上被彼此相邻地布置。
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