[发明专利]半导体存储器器件和半导体存储器系统

权利要求书

1.一种半导体存储器器件，包括：

多个存储单元块，所述多个存储单元块中的每个存储单元块具有包含与第一位线连接的第一存储单元的第一区域以及包含与第二位线连接的第二存储单元的第二区域；

多个位线读出放大器，所述多个位线读出放大器中的每个多个位线读出放大器与所述多个存储单元块中对应的存储单元块的第一存储单元或第二存储单元连接；以及

多个连接单元，所述多个连接单元中的每个连接单元被配置为基于第一控制信号将第一位线与对应的位线读出放大器选择性地连接，并且基于第二控制信号将第二位线与对应的位线读出放大器经由对应的全局位线选择性地连接，其中

所述多个存储单元块中的每个存储单元块的第一区域和第二区域在第一方向上彼此交叠，以及

所述多个存储单元块中的每个存储单元块的第一区域和第二区域在第二方向上被彼此相邻地布置。

2.如权利要求1所述的半导体存储器器件，其中，第一方向不与第二方向平行。

3.如权利要求1所述的半导体存储器器件，其中，第一方向与第二方向垂直。

4.如权利要求1所述的半导体存储器器件，其中，第一方向是类似列的方向，且第二方向是类似行的方向。

5.如权利要求1所述的半导体存储器器件，还包括：

作为局部位线的多条第一位线和多条第二位线，其中

多条全局位线之间的间距是局部位线之间的间距的两倍。

6.如权利要求1所述的半导体存储器器件，其中，全局位线处于与在第一方向上相邻的第一位线和第二位线之间的位置对应的位置处。

7.如权利要求1所述的半导体存储器器件，其中，全局位线是金属线。

8.如权利要求1所述的半导体存储器器件，还包括：

至少一个控制信号生成单元，被配置为基于行地址生成第一控制信号和第二控制信号。

9.如权利要求8所述的半导体存储器器件，其中，所述至少一个控制信号生成单元被进一步配置为：

在被使能的字线与对应的第一存储单元连接时生成具有第一电压的第一控制信号；

在被使能的字线未与对应的第一存储单元连接时生成具有第二电压的第一控制信号；

在被使能的字线与对应的第二存储单元连接时生成具有第一电压的第二控制信号；以及

在被使能的字线未与对应的第二存储单元连接时生成具有第二电压的第二控制信号。

10.如权利要求9所述的半导体存储器器件，其中，所述多个连接单元中的每个连接单元被进一步配置为：

响应于具有第一电压的第一控制信号，将第一位线与对应的位线读出放大器连接；

响应于具有第二电压的第一控制信号，将第一位线从对应的位线读出放大器断开连接；

响应于具有第一电压的第二控制信号，将第二位线与对应的位线读出放大器经由对应的全局位线连接；以及

响应于具有第二电压的第二控制信号，将第二位线与对应的位线读出放大器之一从对应的全局位线断开连接。

11.如权利要求10所述的半导体存储器器件，其中，所述至少一个控制信号生成单元被进一步配置为：在所述半导体存储器器件执行预充电操作时生成具有第三电压的第一控制信号和第二控制信号。

12.如权利要求11所述的半导体存储器器件，其中，第一电压高于第二电压和第三电压，且第三电压高于第二电压。

13.如权利要求8所述的半导体存储器器件，其中，所述至少一个控制信号生成单元包括：

至少一个信号发生器，被配置为生成第一控制信号或第二控制信号，所述至少一个信号发生器包括：

译码单元，被配置为通过对行地址进行译码而生成译码后的行地址；

第一电压控制器，被配置为基于所述译码后的行地址控制第一控制信号或第二控制信号以具有第一电压；

第二电压控制器，被配置为基于所述译码后的行地址控制第一控制信号或第二控制信号以具有第二电压；以及

第三电压控制器，被配置为在所述半导体存储器器件执行预充电操作时，响应于被使能的预充电使能信号控制第一控制信号或第二控制信号以具有第三电压。