[发明专利]半导体存储器有效
| 申请号： | 201110320285.3 | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102456411A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 筱田建 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种通过降低位线间的寄生电容带来的影响，从而能进行高精度的数据的读出的半导体存储器。对一个主位线经由以相互不同的定时进行导通驱动的选择器元件以及与该选择器元件的每一个连接的副位线在该副位线的每一个连接有存储单元，设置有与该主位线并置并且与固定电位连接的固定电位线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器，其特征在于，具有：多个存储单元；至少一根字线，与所述多个存储单元连接；多个第一副位线以及多个第二副位线，和所述字线交叉且与所述多个存储单元连接；多个选择器元件，一端连接于所述第一副位线的每一个；至少一根主位线，对所述选择器元件的每相互邻接的两个进行设置且与这两个选择器元件的另一端共同连接；至少一根固定电位线，与所述主位线并置，并且与固定电位连接；以及电压生成电路，与所述第二副位线连接。
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