[发明专利]一种肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201110314591.6 | 申请日： | 2011-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN102324434A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 黄如;江文哲;黄芊芊;詹瞻;邱颖鑫 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种肖特基势垒MOS晶体管，包括一个环状栅电极(3)，一个环状栅介质层(2)，环状栅电极侧墙(4)，一个半导体衬底，一个源区(5)，一个环状漏区(6)，其特征是，所述半导体衬底具有有凸起台阶结构；源区位于凸起台阶较高的平面上，环状漏区环绕凸起台阶并位于较低的平面上，栅介质层和栅电极位于凸起台阶的拐角处并围绕住台阶凸起呈环状，栅电极侧墙呈环状围在栅电极外侧并有一定厚度，以作为掩蔽形成漏端的underlap结构。该器件结构采用了台阶结构结合环形栅结构以及不对称源/漏结构，在继承传统SB-MOSFET的优点的基础上，提高了开态导通电流，抑制了双极效应，并且简化了工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基势垒 mos 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基势垒MOS晶体管，包括一个环状栅电极(3)，一个环状栅介质层(2)，环状栅电极侧墙(4)，一个半导体衬底(1)，一个源区(5)，一个环状漏区(6)，其特征是，所述半导体衬底(1)具有有凸起台阶结构；源区(5)位于凸起台阶较高的平面上，环状漏区(6)环绕凸起台阶并位于较低的平面上，栅介质层(2)和栅电极位于凸起台阶的拐角处并围绕住台阶凸起呈环状，栅电极侧墙(4)呈环状围在栅电极外侧并有一定厚度，以作为掩蔽形成漏端的underlap结构。
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