[发明专利]半导体发光元件无效
申请号: | 201110306829.0 | 申请日: | 2011-10-08 |
公开(公告)号: | CN102693998A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 森敬洋 | 申请(专利权)人: | 丰田合成株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/46 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;王轶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种半导体发光元件,使其在单一基板上设置有多个发光部的半导体发光元件中,与不使用本构成的情况相比提高光取出效率。半导体发光元件具有:发光部,其在基板上具有半导体层叠构造,该半导体层叠构造包括夹设在第1导电类型层与第2导电类型层之间的发光层;发光部,其具有设置在基板上的与发光部分离的不同区域,且具有包括夹设在第1导电类型层与第2导电类型层之间的发光层的半导体层叠构造;内部布线层,其将发光部的第1导电类型层与发光部的第2导电类型层电连接;和反射层,其设置在发光部的发光层以及发光部的发光层中的至少任意一个发光层与内部布线层之间,反射从发光部的发光层以及发光部的发光层的至少任意一个的发光层发出的光的至少一部分。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】:
一种半导体发光元件,其特征在于,具备:第1发光部,其设置在基板上,且具有半导体层叠构造,该半导体层叠构造包括夹设在第1导电类型的第1导电类型层与第2导电类型的第2导电类型层之间的发光层;第2发光部,其设置在所述基板上的与所述第1发光部分离的不同区域内,且具有半导体层叠构造,该半导体层叠构造包括夹设在所述第1导电类型的第1导电类型层与所述第2导电类型的第2导电类型层之间的发光层;布线层,其将所述第1发光部的所述第1导电类型层与所述第2发光部的所述第2导电类型层进行电连接;和反射层,其设置在所述第1发光部的所述发光层以及所述第2发光部的所述发光层中的至少任意一个发光层与所述布线层之间,反射从所述至少任意一个发光层发出的光的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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