[发明专利]半导体发光元件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体发光元件。

背景技术

以往，作为半导体发光元件，公知有在单一基板上将呈二维排列的多个发光部通过内部布线进行电连接的半导体发光元件(例如参照专利文献1)。

专利文献1的半导体发光元件中，多个半导体层叠构造在单一基板上被分离而呈二维排列，且在这些半导体层叠构造上设置电极等而构成多个发光部，并且多个发光部的每个发光部的一个电极与其它的发光部的另一个电极通过以半导体工艺形成的内部布线进行电连接，因此无需对所有的多个发光部进行键合，可减少布线的工序数。

专利文献1：日本特表2010-521807号公报

但是，专利文献1记载的半导体发光元件存在下述问题：当使用导电率良好的Au、Ti、Ni等金属作为内部布线时，由于内部布线吸收从半导体层叠构造的发光层发出的光，因此光取出效率低；另外，若使用反射率高的Al、Ag等金属作为内部布线，由于产生迁移，发光元件的电气特性受损。

发明内容

由此，本发明的目的在于：在单一基板上设置有多个发光部的半导体发光元件中，与不使用本构成的情况相比提高光取出效率。

本发明为了达成上述目的，提供一种半导体发光元件，其具备：第1发光部，其设置在基板上，且具有半导体层叠构造，该半导体层叠构造包括夹设在第1导电类型的第1导电类型层与第2导电类型的第2导电类型层之间的发光层；第2发光部，其设置在所述基板上的与所述第1发光部分离的不同区域内，且具有半导体层叠构造，该半导体层叠构造包括夹设在所述第1导电类型的第1导电类型层与所述第2导电类型的第2导电类型层之间的发光层；布线层，其将所述第1发光部的所述第1导电类型层与所述第2发光部的所述第2导电类型层进行电连接；和反射层，其设置在所述第1发光部的所述发光层以及所述第2发光部的所述发光层中的至少任意一个发光层与所述布线层之间，反射从所述至少任意一个发光层发出的光的至少一部分。

优选，所述反射层对从所述发光层发出的光的反射率比所述布线层高，且所述反射层形成于绝缘层中，以使该反射层不与所述布线层、所述第1导电类型层以及所述第2导电类型层接触。

优选，所述第1发光部具有：透明电极，其与所述第1导电类型层欧姆接触；绝缘层，其形成在所述透明电极上；和第1电极，其贯通所述绝缘层，且与所述透明电极欧姆接触；所述第2发光部具有：绝缘层，其形成在所述第2导电类型层上；和第2电极，其贯通所述绝缘层，且与所述第2导电类型层欧姆接触；所述布线层将所述第1电极与所述第2电极进行电连接，所述反射层以与所述布线层的形状对应的形状形成在所述绝缘层中，从而使该反射层不与所述第1电极、所述第2电极以及所述透明电极接触。

优选，所述第1发光部的所述第1电极包括从其与所述布线层的连接部延伸的线状第1延伸部，所述第2发光部的所述第2电极包括从其与所述布线层的连接部延伸的线状第2延伸部，所述反射部还以与所述延伸部的形状对应的形状形成在所述第1延伸部以及所述第2延伸部的下方。

根据本发明，在单一基板上设置有多个发光部的半导体发光元件中，与不使用本构成的情况相比能够提高光取出效率。

附图说明

图1是半导体发光元件的剖面示意图。

图2是放大了半导体发光元件的一部分的剖面示意图。

图3是显示本发明实施方式的半导体发光元件的示意俯视图。

附图标记的说明

1：发光元件；      1A：发光部；    1B：发光部；

10：基板；         20：缓冲层；    21：半导体层叠构造；

22：n型接触层；    23：n型ESD层；  24：n型覆盖层；

25：发光层(MQW层)；26：P型覆盖层； 27：p型接触层；

30：透明电极；     40：绝缘层；    50：下侧p电极；

60：下侧n电极；    70：上侧p电极； 80：上侧n电极；

83：内部布线层；   90、92、93、94、96：反射层；

700、720、800、820：延伸部

具体实施方式

图1～图3显示本发明的实施方式，图1是半导体装置的剖面示意图，图2是放大了半导体发光元件的一部分的剖面示意图。另外，图3是半导体发光元件的示意俯视图。

(发光元件的构成)