[发明专利]在片上系统中使用动态随机存取存储器部件的方法及系统有效
| 申请号： | 201110304537.3 | 申请日： | 2007-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN102403303A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 陈昆龙;庄建祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种片上系统半导体电路，包括：一逻辑电路，该逻辑电路具有至少一带有一薄栅极介电材料的第一晶体管；至少一连接该逻辑电路的动态随机存取存储器单元，该至少一动态随机存取存储器单元具有至少一存储电容和至少一厚栅极介电材料的存取晶体管；及，一与该逻辑电路和该存储器单元一起操作的模拟电路，该模拟电路具有至少一厚栅极介电材料的开关晶体管和至少一开关电容；其中，该存储器单元的存储电容和开关晶体管是同一类型；并且其中，该厚栅极介电材料开关晶体管和该模拟电路的开关电容用制造该动态随机存取存储器单元的工艺制造。 | ||
| 搜索关键词： | 系统 使用 动态 随机存取存储器 部件 方法 | ||
【主权项】：
一种片上系统半导体电路，包括：一逻辑电路，该逻辑电路具有至少一带有一第一栅极介电材料的第一晶体管；至少一连接该逻辑电路的动态随机存取存储器单元，该至少一动态随机存取存储器单元具有至少一存储电容和至少一带有一第二栅极介电材料的第二晶体管；及，一与该逻辑电路和该存储器单元一起操作的模拟电路，该模拟电路具有至少一开关电容和至少一带有一第三栅极介电材料的第三晶体管；其中，该第三栅极介电材料的一等效二氧化硅层厚度与该第二栅极介电材料的一等效二氧化硅层厚度实质上相同。
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